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1.
4.
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片的静态输出曲线是考核其能量损耗及指导多芯片并联设计的重要指标之一。现有测量IGBT静态输出曲线的方法多采用商用化的功率器件分析仪,然而商业化功率器件分析仪存在价格昂贵、夹具单一的问题。亟需开发一种简单、快速、有效的静态输出曲线测量方法。面向高压IGBT芯片,提出一种新的静态输出曲线连续测量方法及测试电路,有效减小了IGBT芯片的电导调制效应和温升效应对静态输出曲线的影响。通过实时测量动态过程中的电压及电流,可以快速得到IGBT芯片静态输出曲线。通过对比本文连续法与功率器件分析仪的测量结果,证明了所提方法的有效性。 相似文献
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6.
为突破压电式雨量传感器在小雨滴粒径方面的检测精度,该文提出了一种新型的换能器设计结构。 在传统换能器结构四周增加压电双晶片的外围结构,通过 ANSYS瞬态分析法分别对中心弧形结构、外围压电双晶片、压电纤维复合材料及压电纤维复合材料双晶片等结构在不同冲击位置的电压进行仿真分析,同时对压电纤维复合材料双晶片因不同水膜厚度引起的阻抗特性进行仿真分析,最后验证了仿真结构的有效性。结果表明,该研究对于新型雨量传感器提高雨滴检测的灵敏度,实现新型雨量传感器关键技术突破起到了一定支撑作用。 相似文献
7.
当前忆阻器等效电路中的传统运算放大器存在功耗高、噪声大等问题。针对这些问题,基于简化差分对设计了两种极简化的运算放大器。通过电路仿真对两种简化运算放大器与传统运算放大器进行功耗与噪声仿真分析。结果表明,与三种传统运算放大器相比,该简化运算放大器的功耗最低,抗噪声性能最优。运算放大器的总功耗为15 mW,等效输出噪声电压为11.55 nV·Hz-1/2,噪声系数为35.873 dB。基于两种简化运算放大器,设计了一种二阶荷控忆阻器等效电路。通过理论分析、电路仿真和硬件电路板基实验,对该等效电路的忆阻特性进行了分析与验证。 相似文献
8.
5G非地面网络(non-terrestrial network,NTN)技术是5G通信系统面向卫星通信和低空通信等新应用场景的重要技术,标志着5G技术应用从陆地通信走向了空间通信。首先分析了5G NTN和地面5G的差异点,包括网络架构、时频同步、HARQ和移动性管理等。进而介绍了3GPP Release 17的5G NTN标准进展及关键技术点与3GPP Release 18的5G NTN增强技术。最后展望了未来空、天、地一体化的技术演进。通过对5G NTN技术研究和标准分析,明确了5G和卫星通信融合的技术路线,并为后续6G空、天、地融合系统研究和设计提供基础。 相似文献
9.
Journal of Materials Science - Three polyimides (PIs) were prepared from a diamine containing biphenyl ester group as a side chain and a corresponding dianhydride chosen from... 相似文献
10.
Xianchun Peng Jie Sun Huan Liu Liang Li Qikun Wang Liang Wu Wei Guo Fanping Meng Li Chen Feng Huang Jichun Ye 《半导体学报》2022,43(2):79-85
AIN thin films were deposited on c-,a-and r-plane sapphire substrates by the magnetron sputtering technique.The in-fluence of high-temperature thermal annealing (HTTA) on the structural,optical properties as well as surface stoichiometry were comprehensively investigated.The significant narrowing of the (0002) diffraction peak to as low as 68 arcsec of AIN after HTTA implies a reduction of tilt component inside the AIN thin films,and consequently much-reduced dislocation densities.This is also supported by the appearance of E2(high) Raman peak and better Al-N stoichiometry after HTTA.Furthermore,the in-creased absorption edge after HTTA suggests a reduction of point defects acting as the absorption centers.It is concluded that HTTA is a universal post-treatment technique in improving the crystalline quality of sputtered AIN regardless of sapphire orienta-tion. 相似文献