首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1430332篇
  免费   26168篇
  国内免费   6838篇
电工技术   33524篇
综合类   6430篇
化学工业   247672篇
金属工艺   63536篇
机械仪表   40681篇
建筑科学   41525篇
矿业工程   11418篇
能源动力   49683篇
轻工业   105669篇
水利工程   14574篇
石油天然气   36516篇
武器工业   153篇
无线电   193259篇
一般工业技术   273598篇
冶金工业   145376篇
原子能技术   33924篇
自动化技术   165800篇
  2021年   13162篇
  2020年   11746篇
  2019年   14452篇
  2018年   15360篇
  2017年   14713篇
  2016年   20268篇
  2015年   16386篇
  2014年   27775篇
  2013年   86801篇
  2012年   33749篇
  2011年   46028篇
  2010年   41526篇
  2009年   50204篇
  2008年   43193篇
  2007年   40505篇
  2006年   43519篇
  2005年   38285篇
  2004年   40531篇
  2003年   40075篇
  2002年   37850篇
  2001年   34084篇
  2000年   32144篇
  1999年   31274篇
  1998年   36439篇
  1997年   33339篇
  1996年   30446篇
  1995年   28833篇
  1994年   27129篇
  1993年   27009篇
  1992年   25323篇
  1991年   22394篇
  1990年   22911篇
  1989年   21823篇
  1988年   20280篇
  1987年   18693篇
  1986年   18116篇
  1985年   21484篇
  1984年   21834篇
  1983年   19793篇
  1982年   18856篇
  1981年   18916篇
  1980年   17611篇
  1979年   18178篇
  1978年   17441篇
  1977年   17057篇
  1976年   17675篇
  1975年   15750篇
  1974年   15300篇
  1973年   15392篇
  1972年   12930篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
Journal of Materials Science -  相似文献   
3.
Photonic Network Communications - In the present work, a high-speed optical encoder is proposed based on two-dimensional photonic crystal ring resonator using coupled mode theory and resonance...  相似文献   
4.
Anzaldo  Alexis  Andrade  Ángel G. 《Wireless Networks》2022,28(8):3613-3620
Wireless Networks - Beyond five generation (B5G) systems will demand strict and heterogeneous service requirements for the emerging applications. One solution to meet these demands is the dense...  相似文献   
5.
Russian Microelectronics - The influence of the discharge power in plasma during the reactive-ion etching of massive substrates on the matching of the lower electrode with a high-frequency bias...  相似文献   
6.
Brella  M.  Taabouche  A.  Gharbi  B.  Gheriani  R.  Bouachiba  Y.  Bouabellou  A.  Serrar  H.  Touil  S.  Laggoune  K.  Boudissa  M. 《Semiconductors》2022,56(3):234-239
Semiconductors - In this work, TiO2 thin films were deposited onto glass substrate by two different techniques: sol–gel dip-coating (SG) and reactive DC magnetron sputtering (Sput). The...  相似文献   
7.
Journal of Materials Science: Materials in Electronics - The Co1?xZnxFe2O4 (Co–Zn) ferrite nanoparticles with x varying from 0.0 to 0.4 have been manufactured by facile chemical...  相似文献   
8.
Journal of Materials Science: Materials in Electronics - The ZnO and TiO2 nanopowders have been prepared by means of the pulsed laser reactive ablation of metallic (Zn, Ti) targets. The Structural,...  相似文献   
9.
Journal of Materials Science: Materials in Electronics - Non-volatile organic memory devices were fabricated using polystyrene sulfonate (PSS)?+?nitrogen-doped multi-walled carbon...  相似文献   
10.

InN thin films are grown on sapphire substrates by remote plasma-assisted metal organic chemical vapor deposition while varying the indium pulse length and substrate temperature. The effects of the indium pulse length and temperature on the structural, morphological, electronic, and optical properties of the thin films are studied. The structural parameters are determined by X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy and the effects of incorporating oxygen atoms in the structure is described. The N K-edge X-ray absorption spectroscopy (XAS) and X-ray emission spectroscopy (XES) measurements are used to determine the band gap and it is found to be 1.80?±?0.25 eV for all samples. A complementary measurement namely, X-ray excited optical luminescence measurement is performed to confirm the band gap value obtained from XAS and XES measurements. O K-edge XAS measurements are performed to determine the presence of oxygen impurities in the samples. Meanwhile, we carry out the density functional theory calculations for Wurtzite InN, hypothetical Wurtzite-type InO0.5N0.5, and InO0.0625N0.9375 structures. We find that the measured N-edge spectra agree well with our Wurtzite InN calculations and the measured O K-edge spectra agree better with hypothetical Wurtzite-type InO0.0625N0.9375 than Wurtzite-type InO0.5N0.5.

  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号