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Journal of Materials Science -  相似文献   
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Photonic Network Communications - In the present work, a high-speed optical encoder is proposed based on two-dimensional photonic crystal ring resonator using coupled mode theory and resonance...  相似文献   
4.
Zhang  Junbao  Huang  Haojun  Yang  Changlin  Liu  Jizhao  Fan  Yinting  Yang  Guan 《Wireless Networks》2022,28(3):1301-1312
Wireless Networks - Although centrality is widely used to differentiate the importance of nodes for social-aware routing in mobile opportunistic networks (MONs), it is destination-agnostic since...  相似文献   
5.
Anzaldo  Alexis  Andrade  Ángel G. 《Wireless Networks》2022,28(8):3613-3620
Wireless Networks - Beyond five generation (B5G) systems will demand strict and heterogeneous service requirements for the emerging applications. One solution to meet these demands is the dense...  相似文献   
6.
黄建业  刘冰倩  廖飞龙  刘恒旺  林锐 《中州煤炭》2022,(2):241-246,256
为降低主动配电网运行网损与成本,提升其分布式电源消纳能力,研究了基于边缘计算的主动配电网功率自动补偿方法。设计包含终端设备层、边缘计算层、信息管理层与云计算层的主动配电网自动管理平台,实时监控主动配电网各设备的运行状况,运用边云协作模式实现平台对设备信息数据的采集、存储及预处理,并结合最低线路总网损目标函数,由云计算层建立双层规划主动配电网功率自动补偿模型,通过边缘计算层运算该模型后,完成主动配电网功率自动补偿。实例分析结果表明,该方法可有效降低主动配电网的总线路损耗,提升其运行的经济性,改善分布式电源消纳水平,运算的收敛性能好、精度与效率较高,CPU消耗量低,可保障主动配电网的低成本与安全稳定运行。  相似文献   
7.
Journal of Materials Science: Materials in Electronics - The Co1?xZnxFe2O4 (Co–Zn) ferrite nanoparticles with x varying from 0.0 to 0.4 have been manufactured by facile chemical...  相似文献   
8.
Journal of Materials Science: Materials in Electronics - The ZnO and TiO2 nanopowders have been prepared by means of the pulsed laser reactive ablation of metallic (Zn, Ti) targets. The Structural,...  相似文献   
9.
Journal of Materials Science: Materials in Electronics - Non-volatile organic memory devices were fabricated using polystyrene sulfonate (PSS)?+?nitrogen-doped multi-walled carbon...  相似文献   
10.

InN thin films are grown on sapphire substrates by remote plasma-assisted metal organic chemical vapor deposition while varying the indium pulse length and substrate temperature. The effects of the indium pulse length and temperature on the structural, morphological, electronic, and optical properties of the thin films are studied. The structural parameters are determined by X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy and the effects of incorporating oxygen atoms in the structure is described. The N K-edge X-ray absorption spectroscopy (XAS) and X-ray emission spectroscopy (XES) measurements are used to determine the band gap and it is found to be 1.80?±?0.25 eV for all samples. A complementary measurement namely, X-ray excited optical luminescence measurement is performed to confirm the band gap value obtained from XAS and XES measurements. O K-edge XAS measurements are performed to determine the presence of oxygen impurities in the samples. Meanwhile, we carry out the density functional theory calculations for Wurtzite InN, hypothetical Wurtzite-type InO0.5N0.5, and InO0.0625N0.9375 structures. We find that the measured N-edge spectra agree well with our Wurtzite InN calculations and the measured O K-edge spectra agree better with hypothetical Wurtzite-type InO0.0625N0.9375 than Wurtzite-type InO0.5N0.5.

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