光电子学与光通信

目前微电子芯片中功能强大的，广泛使用的硅晶体管从微型化的角度说已接近其技术极限，新的技术途径在不断探索之中。光微芯片乃至光计算机是被广泛研究的极具吸引力的新技术之一，光通信更是推动人类进入通讯新纪元的关键技术。     

MPNIM结构光致变电容效应

本文报告了作者之一首先发现的MPNIM(金属-P型半导体-N型半月比-绝缘体-金属)结构的光致变电容效应。基于该效应已研制出新器件:半导体双向光控变容器.新器件的电容值与入射光强的关系,光谱响应特性,频率特性,C-V特性,温度特性已被研究.     

变温光电法测量MIS太阳电池势垒高度

本文介绍一种测量MIS太阳电池的新方法—变温光电法,用这种方法可精确地测出MIS太阳电池的表面势垒高度、品质因数和界面态密度。     

高效率MINP硅太阳电池的研制

用扩散法制作MINP硅太阳电池的轻掺杂N区,用PECVD方法淀积的Si_3N_4作其减反射膜,在电阻率为1.5±0.5Ω·cm的P型硅衬底上制取了转换效率为16.5%的MINP太阳电池(有效面积AM1.5、100mw/cm~2、25℃)。本文分析Si_3N_4作MINP电池减反射膜的优点,并对限制MINP太阳电池性能进一步提高的因素进行讨论。     

用AT89C系列单片机实现5英寸TFT-LCD的遥控

用AT89C系列单片机在5英寸TFT-LCD液晶显示器上加装遥控系统，使之更容易被操作。硬件设计了遥控发射、遥腔接收和TFT-LCD驱动电路。软件设计主要是对遥控发射、遥控接收电路进行单片机编程。     

基于PIC16C72的电力三相不对称负载无功补偿算法的实现

用PICl6C72单片机设计了电力三相不对称负载的功率因数补偿控制系统，提出了补偿电容容量的优选算法及负载性质判定算法。该系统可用于380V、50Hz的三相电力系统，与无功功率补偿屏配套使用。他可根据电网无功功率的大小与性质启动控制补偿屏中的电容器投入或切断，从而减少电网的无功消耗，改善供电质量并节约电能。     

遗传算法的一种特例——正交试验设计法

简要介绍正交试验设计法与遗传算法的基本原理,分析它们之间的内在关系,指出正交试验设计法可以认为是遗传算法的一种特例,即它是一种初始种群固定的、只使用定向变异算子的、只进化一代的遗传算法.计算结果表明,正交试验设计法可以解决一般遗传算法中的最小欺骗问题.     

ZnO宽带隙半导体及其基本特性

ZnO半导体是宽带隙半导体领域中继GaN和SiC之后的研究热点.同时,作为一种氧化物半导体,ZnO半导体在能带结构、晶格缺陷、抗辐照特性以及电学性质等方面具有特殊性,已有的研究中还存在一些不同的认识.本工作在阐述ZnO的晶体结构和基本性质基础之上,对其能带结构和缺陷特征、电子输运以及P型掺杂等主要的半导体特性研究现状进行了较为全面综述和分析.由于ZnO半导体具有高的激子束缚能、优良的电子输运性质、强抗辐照特性以及低成本和环境友好等显著特征,它是未来半导体光电子领域极具应用潜力的新一代宽带隙半导体材料,但是到目前为止,p型掺杂技术仍然是ZnO半导体器件面临的最大挑战.     

提高丝网印刷ZnO纳米针场发射均匀性稳定性

针对现有的ZnO纳米针场发射均匀性、稳定性不良的问题,本文提出丝网印刷碳纳米管(CNTs)掺杂过滤的ZnO纳米针的方法来提高其均匀性和稳定性.场发射特性测试表明,ZnO纳米针经过滤后可以提高场发射均匀性,CNTs的掺杂提高了印刷ZnO纳米针薄膜的场发射电流密度和稳定性,印刷CNTs掺杂的ZnO纳米针薄膜在烧结温度为450℃时,印刷ZnO纳米针薄膜的场发射电流密度较高.该方法在ZnO纳米针场发射显示器的制作中有很好的实际应用价值.     

FED制作工艺研究

本文介绍了我们开发的ＦＥＤ工艺，包括；硅锥场致发射阵列的制作，栅极制作，阳极支柱的制作和平板透明真空封装，对工艺中的难点及对策作了详细描述。利用上述工艺，已经制成了平板数码管，其栅阴特性理想，阳阴之间也能测得明显的场致发射特性产伴有荧光激发。