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1.
对己二腈工业反应器提出了两釜串联带回流的模型,通过模拟计算得出模型的级间返混系数 f=6的结论。该模型能较好地预测工业反应器中物料组分浓度变化和气、液两相的流动特性;指出了现工业反应器的鼓泡中和段体积偏小是造成己二酸浓度偏高的关键;提出了可以通过增加串连一个鼓泡预反应段的改造方案,能有效地降低己二酸的浓度,从7%降至4%左右,从而能较好地减缓腐蚀和结焦。  相似文献   
2.
This article deals with the kinetics of two-step anionic polymerization by way of a non-steady state method. Several molecular parameters can be evaluated using the formulae developed. A bimodal molecular weight distribution function for the resulting polymer is derived from the set of kinetic differential equations, which is in agreement with the experimental data reported.  相似文献   
3.
从热力学理论出发,利用X射线衍射定性和定量的方法,对β-C_2S固溶体的稳定性进行了分析和研究。经热力学理论推导得出β-C_2S稳定的热力学条件,即掺入的微量元素的化学位μ_i须小于β-C_2S的反应自由焓△G_β,μ_i<△G_β.并定量地计算出一种微量元素稳定β-C_2S的临界掺加量为;多种微量元素对β-C_2S的稳定性判断条件为:  相似文献   
4.
Ultraviolet (UV) disinfection is becoming increasingly popular as an alternative disinfection technology to chlorination in recent years. In this study, we investigated the photoreactivation of Escherichia coli following medium-pressure (MP) UV disinfection of synthetic water by a bench-scale collimated beam apparatus. The UV doses ranged from 1.6 -19.7 mWs/cm2 and photoreactivation was investigated for 6 hours under fluorescent light. In addition, chloramination was applied after UV disinfection to investigate its ability to control photoreactivation. It was found that photoreactivation occurred for all UV doses tested and the increase in bacteria numbers ranged from 0.04 to 1.35 log10. However, the degree of photoreactivation decreased with increased UV doses. Chloramination experiments revealed that the addition of 0.5 mg/l of monochloramine resulted in suppression of photoreactivation for 1 hour only. An increased monochloramine dose of 1 mg/l was found to prevent photoreactivation for the entire duration of the experiment. The results of this study have shown that photoreactivation occurs even after MP UV disinfection, although it is of a lesser extent at higher UV doses. This study has also established that secondary chloramination can effectively suppress and eliminate photoreactivation with a chloramine dose of 1 mg/l.  相似文献   
5.
We present experimental evidence that the noise figure (NF) and associated gain equal to those achieved with GaAs pseudomorphic high electron mobility transistors (GaAs p-HEMT's) can also be accomplished by ion implanted GaAs metal-semiconductor field-effect transistors (GaAs MESFET's). These measured noise figure results as a function of low temperature for GaAs MESFET's and p-HEMT's clearly suggest that the transport properties of the two-dimensional electron gas in HEMT's and p-HEMT's do not make a significant contribution to the noise reduction at high frequency operation of these devices  相似文献   
6.
转移法色交换   总被引:1,自引:0,他引:1  
将图G的着色由一种变为中一种,通常用Kempe法以交换。但是,对于某些情况,用此法无效。针对这个问题,本文提出了一种转移法色交换,它适用于平面图着色,方法直观,清晰且有效。  相似文献   
7.
Two new methods are proposed to implement the exclusive-OR and exclusive-NOR functions on the transistor level. The first method uses non-complementary signal inputs and the least number of transistors. The other one improves the performance of the prior method but two more transistors are utilized. Both of them have been fully simulated by HSPICE on a SUN SPARC 2 workstation  相似文献   
8.
Brambilla  G. Xu  F. Feng  X. 《Electronics letters》2006,42(9):517-519
It is demonstrated for the first time that long nanowires with radii as small as 30 nm can be manufactured with a conventional coupler fabrication rig. The temporal deterioration of nanowire optical properties has been studied and correlated with its mechanical behaviour. The original transmission properties have been restored by a post-fabrication treatment.  相似文献   
9.
A self-aligned InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor with a compositionally graded InxGa1-xAs base has been demonstrated with fT=83 GHz and fmax=197 GHz. To our knowledge, these results are the highest reported for both parameters in InGaP/GaAs HBT's. The graded base, which improves electron transport through the base, results in a DC current gain and a cutoff frequency which are 100% and 20% higher, respectively, than that achieved by an identical device with a nongraded base. The high fmax results from a heavily doped base, self-aligned base contacts, and a self-aligned collector etch. These results demonstrate the applicability of InGaP/GaAs HBT's in high-speed microwave applications  相似文献   
10.
通过对资本一般概念的分析,结合资本一般的运动功能论述,认为在经济全球化和网络条件下,资本增值属性必然导致对规则和标准的争夺与控制,标准战是资本一般在新的经济社会形态下发展的必然逻辑结果。  相似文献   
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