国产HVM3509硅高压整流堆的设计与制造

介绍了国产ＨＶＭ３５０９微波炉专用硅堆的工艺特点和关键设计制造工艺。该产品具有体积小、电流大、压降低、漏电流小和可靠性高等独特优点。研制结果表明：该产品已达到日本ＨＶＭ３５０９同类产品标准。     

高性能IGBT模块的设计考虑

本文对ＩＧＢＴ模块中功率芯片（ＩＧＢＴ和续流二极管）的优化设计进行了讨论。通过优化几个重要的工艺参数并改进器件的结构，ＩＧＢＴ不仅有足够的短路容量，而且正向压降与电流下降时间之间可实现最佳折衷。另外，续流二极管的反向恢复特性也有明显改善。通过采用衬底控制技术，ＩＧＢＴ模块的输出特性不受温度的影响，输出电流更稳，输出阻抗更高。本文详细介绍了整个设计考虑。     

国产HVM3509硅高压整流堆的设计与制造

本文报道了国产ＨＶＭ３５０９微波炉硅堆的设计、关键制造工艺和研制结果．     

基于磁流体理论的气吹灭弧装置性能研究

我国的配电线路分布密集,并且绝缘强度和耐雷水平均较低,加之雷害的高发性和高危性,降低雷击跳闸率、保障配电线路可靠运行具有重大研究意义。多重曲折断口灭弧装置是一种自能式气体灭弧装置,能够大幅度降低雷击跳闸率。该文基于磁流体理论(magnetohydrodynamics,MHD),分析该装置内的电弧形成、熄灭以及自膨胀气流的产生原理,利用COMSOLMultiphysics仿真软件搭建了灭弧装置的2维几何模型,通过分析仿真结果,详细阐述了在整个灭弧过程中气流能量与电弧能量的持续性竞争过程;根据IEC标准搭建了工频续流灭弧试验平台,进行了工频续流遮断试验,试验结果表明该装置能够在800μs内熄灭1.5kA工频续流;通过实际线路运行数据显示该装置能够有效灭弧、大幅度降低雷击跳闸率。     

固态功率控制器感性负载下的续流特性分析

本文结合我国空间站用固态功率控制器保护特性,对其在不同关断模式下的续流特性进行了理论分析,并通过建模仿真给出了不同感性负载下关断电流对功率回路MOSFET、二极管关键半导体器件的电、热应力影响,最后给出了固态功率控制器感性负载下的使用注意事项,对固态功率控制器安全性设计及使用具有一定的参考意义。     

直流电弧炉新型整流电源的研究

分析了以带中性点的续流二极管和相移控制两项技术为基础,并采取低闪变控制方式的新型整流电源的工作原理及特性。     

高效应用的增强型第4代CAL二极管

使用轴向寿命控制(CAl-controlled axial lifetime)技术,SEMIKRON将他的第4代续流二极管从1200V扩展到了650V和1700V电压等级。一种创新的终端结构提供了对于极端环境,如湿度影响的高稳定性。此外,这种终端结构使器件能够稳定地工作到175°C。增强型CAL4二极管还对低频及高频等级分别进行了优化,以便获得较好开关特性和较低损耗的最佳折衷。     

多重短间隙灭弧装置及其工频续流遮断能力测试

基于灭弧栅熄灭大功率电弧的原理,采用多重串联短间隙灭弧方式设计了用于配网线路防雷的多重短间隙灭弧装置。根据IEC 60060-1—2010中关于续流遮断试验的要求,针对该灭弧装置的熄弧原理制订了工频续流遮断能力测试的试验方法,并设计与搭建了10 kV冲击回路与工频续流回路相结合的联合试验平台,利用该试验平台对多重串联短间隙灭弧装置的工频续流遮断能力进行了测试。试验结果表明,该灭弧装置在遭遇冲击电压击穿后能在续流过零点时刻切断工频电流,且其后不会随着工频电压的恢复再次发生击穿。     

配网线路新型续流释放雷击防护装置的研究

10kV配网线路由于绝缘水平低,易因直击雷过电压和感应雷过电压引起线路跳闸和停电事故,因此更加有效的适合于架空裸导线和架空绝缘导线的配网线路防雷措施一直是研究的热点之一。本文设计了一种新型续流释放雷击防护装置,基于其结构和安装研究了直击雷和感应雷防护的数学模型,以及工频续流释放数学模型。仿真结果表明:该新型装置不仅能有效防雷,而且在工频续流释放能力上具有优异的性能。配合装置成本低,无电阻片老化,易于安装等优点,将有效应用于配网线路防雷。     

10kV架空绝缘导线雷击断线问题分析及防范

本文根据新会地区配电线路雷击情况，详细分析了雷击断线的现象和断线成因，同时探讨了防止10kV绝缘导线雷击断线的对策，并对该区配网采用的过电压保护器使用效果进行了分析。