BST薄膜电容器的制备及其调谐性能研究

利用氩离子束溅射技术在SiO2/Si衬底上淀积Ba0.8Sr0.2TiO3(BST)薄膜,该薄膜在氧气气氛中500℃退火处理30 min,然后利用集成电路平面工艺将薄膜制作成叉指结构电容器。X-射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)分析表明,BST薄膜具有钙钛矿结构,薄膜表面光滑,晶粒致密且分布均匀。调谐性能测试结果表明,该电容器具有较高的电容调谐率,在室温100 kHz频率下,对于2 V的直流偏压,其调谐率和损耗因子分别为62%和0.02。这说明具有此结构的BST薄膜电容器可望应用于微波集成电路。     

BST/MgO系铁电移相材料微波电性能的研究

采用正交设计实验方法分析了SnO2、MnCO3、B i2O3和A l2O3添加量对BST/MgO系铁电移相材料微波电性能影响。实验结果表明:SnO2的引入促进样品烧结,有助于降低低频和微波损耗,但过多的加入会产生第二相,会使微波损耗上升。Mn受主取代Ti产生空穴等缺陷,不利于微波损耗的降低,而等价取代类似SnO2的情况,有助于降低微波损耗,但过多的加入会产生第二相,也会使微波损耗上升。B i2O3对材料微波电性能有显著的影响,从离子半径匹配角度,B i2O3一般出现在晶粒间,形成玻璃相,一方面促进烧结,使致密化提高,低频损耗变小;另一方面低熔点的玻璃相引起微波损耗急剧上升。A l2O3对材料电性能影响不显著。     

以BST为介质基片的电调谐微带天线研究

在电子侦察和电子对抗领域的快速发展过程中,人们逐渐需要有性能优良的高速电调谐天线出现.制备了适合电调谐用途的钛酸锶钡(Barium Strontium Titanate,BST)铁电体,并分别在低频和微波频段下测量了其电磁特性.采用BST材料作为缝隙耦合微带天线的辐射层介质基片,利用其介电常数随外加偏压改变的性质,设计了以BST为介质基片的电调谐微带天线,并采用时域有限差分法(FDTD)进行了数值仿真,发现在一定偏压下天线的调谐性在C波段达到17%,方向图和阻抗的性能保持不变.     

低温烧结Dy-B-Si-O系玻璃介质掺杂Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3陶瓷

采用溶胶-凝胶法制备了Dy-B-Si-O系玻璃介质掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)陶瓷粉体,并烧结成瓷。探讨了玻璃介质对BST陶瓷密度、烧结温度和介电性能的影响,利用扫描电子显微镜(SEM)、自动元件分析仪测试了BST陶瓷的显微结构和介电性能。研究结果表明,添加Dy-B-Si-O系玻璃介质降低了陶瓷烧结温度,提高了陶瓷致密度;随着Dy-B-Si-O系玻璃介质中Dy2O3组分含量的增加,介电常数增大;介电损耗先增大后减小,介电损耗最小值约为0.01,可满足在电压可调电容器上的使用要求。     

Substrate effect on in-plane ferroelectric and dielectric properties of Ba0.7Sr0.3TiO3 thin films

Heteroepitaxial Ba_0.7Sr_0.3TiO₃ thin films were grown on (LaAlO₃)_0.3(Sr₂AlTaO₆)_0.35 (001) (LSAT) and SrTiO₃ (001) (STO) single crystal substrates using pulsed laser deposition (PLD). X-ray diffraction characterization revealed a good crystallinity and a pure perovskite structure for films grown on both LSAT and STO substrates. The in-plane ferroelectric and dielectric properties of the films were studied using interdigital electrodes (IDE). The film grown on LSAT substrate exhibited an enhanced in-plane ferroelectricity, including a well-defined P-E hysteresis loop with the remnant polarization P _r = 10.5 μC/cm² and a butterfly-shaped C-V curve. Nevertheless, only a slim hysteresis loop was observed in the film grown on STO substrate. Curie temperature T _c of the film grown on LSAT substrate was found to be ∼105^∘C, which is nearly 70^∘C higher than that of the bulk Ba_0.7Sr_0.3TiO₃ ceramics. T _c of the film grown on STO substrate has almost no change compared to the bulk Ba_0.7Sr_0.3TiO₃ ceramics. The dielectric tunabilities were found to be 64% and 52% at 1 MHz for the films grown on LSAT and STO substrates, respectively.     

一种新型BST薄膜移相器的电路设计

采用铁电材料钛酸锶钡(BST)的薄膜移相器以其成本低廉、响应速度快、频带宽、体积小、重量轻、控制简单等诸多优点而引起关注.本文对BST薄膜移相器的设计模型进行研究分析,提出了一种新型的电路结构,在BST材料移相器的大移相量和尽可能低的损耗一对矛盾中找到一个平衡点.并通过ADS仿真验证了这一新型电路.     

衬底同步加热溅射BST薄膜的研究

介绍了一种衬底同步加热射频磁控溅射制备BST(BaxSr1-xTiO3)薄膜的新方法,讨论了BST薄膜的晶化效果对介电常数的影响,分析了薄膜的居里温度和εr-V铁电性能.XRD测试结果表明制备的BST薄膜具有完整的钙钛矿晶体结构,相对介电常数超过150,介质击穿强度大于1.3 MV/cm.使用这种方法不需要专门的退火工艺,就可以制备晶体结构完整的高介电常数BST薄膜.     

射频磁控溅射法制备(100)择优取向Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜

用射频磁控溅射法在快速热处理过的Pt／Ti/SiO2/Si（100）基体上制备了Ba0.7sr0.3TiO3薄膜。通过引入溅射因子α，在相同工艺条件（高温大功率溅射）下，对靶材成分进行调整，使薄膜成分无化学计量比偏离。薄膜成相较未调整前有显著改善，低角区的衍射杂峰消失。{100}方向有择优生长，同体材料及sol-gel法制备的BST薄膜有明显不同，研究认为是成分调整后，薄膜成分无偏离所致。     

改进的Sol-gel法制备Ba0.6 Sr0.4 TiO3厚膜

采用Sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si和Al2O3基片上制备厚度为2～14μm的Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)铁电厚膜材料.经高能球磨细化和表面改性后的BST陶瓷纳米粉体分散到BST溶胶中,通过甩胶法,形成0-3型BST厚膜材料.XRD图谱显示,BST呈现纯钙钛矿相结构;SEM照片显示,BST厚膜均匀致密、无裂纹;介电性能测试结果表明,当测试频率为1kHz,温度为25℃时,介电常数为620,介电损耗为0.6.     

BST铁电薄膜材料的研究现状及其进展

铁电钛酸锶钡(BaxSr1-x)TiO3是一种具有十分优越铁电/介电性能的材料,在可调微波器件及动态随机存储器件方面有很好的应用前景.介绍了钛酸锶钡薄膜材料的基本结构、制备技术、掺杂改性等方面的研究现状,并在性能改善的基础上,指出了该材料的未来发展方向.