高层建筑桩基工程施工技术及管理应用

对高层建筑基桩工程施工技术以及管理的应用进行了分析,施工中注重桩基工程施工技术标准的重要性,加强桩基施工管理,为高层建筑后续施工的顺利开展打下坚实的基础。     

AP1000稳压器波动管竖直管段空气-水CCFL实验研究

使用竖直管代替波动管模型开展稳压器波动管竖直管段内空气-水两相逆流限制（CCFL）特性可视化实验研究。实验现象表明:竖直管与上容器接口处的局部CCFL决定了进入竖直管内的液相流量；竖直管内的局部CCFL决定了从竖直管流出的液相流量；两处局部CCFL均随空气流量的增大而增强。在较低气量情况，进入竖直管内的液相能够完全或大部分流出，竖直管内的局部CCFL较弱，上容器和竖直管接口处的局部CCFL在整体CCFL中占主导地位，整体CCFL程度随着上容器液位升高而略有增强。在高气量情况，从上容器进入竖直管的液相大部分或者完全被限制而不能向下流出，竖直管内的局部CCFL强烈，在整体CCFL中占主导地位，整体CCFL特性不受上容器液位变化的影响。通过实验数据拟合得到了新的稳压器竖直管CCFL模型。稳压器波动管CCFL数据和稳压器竖直管CCFL数据基本重合，表明波动管CCFL主要由CCFL-U决定。      

建筑工程桩基施工技术的优化策略探究

随着城市化进程的加快,建筑工程桩基础施工技术得到了广泛的应用与关注,但是由于桩基施工环境比较复杂,工艺要求较高,在实际施工中容易出现质量问题。因此,建筑企业应该明确桩基础技术的巨大技术优势,深入研究建筑桩基施工的工艺流程与应用原则,这对于进一步保障工程质量,促进建筑业的发展,意义深远。     

岩溶地区桩基选型及施工注意问题

结合具体工程案例,分析了岩溶地区建筑桩基的选型,介绍了采用旋挖钻孔灌注桩法的施工流程,并分析了施工中应注意的问题,以期为同类工程提供借鉴。     

新结构MOSFET

和传统平面结构MOSFET相比，新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE)，理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET，包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小，这些新结构器件将大有前途。