LNG冷量优化集成利用技术

我国将相继在沿海地区建成多个LNG接收站，每年将进口数以千万吨计的LNG，同时携带数着巨额冷量，而这些冷量可用于发电、空气分离、制造干冰、低温冷库等众多领域。基于国外LNG冷量利用现状，指出我国即将展开和实施此项技术还存在着：过程火用损较大，缺乏系统、全面的LNG冷量利用技术的研发指导机制，以及宏观调控力度薄弱等问题，进而提出了发展LNG冷量的集成利用方案，可为此类技术的研发利用提供新思路。以福建即将进口的LNG为例，模拟了空气分离与干冰制备的集成工艺流程，结果表明：福建每年进口的260×10⁴t LNG可以冷却290×10⁴t空气，相当于60000 m³/h的氧气制备规模，还可以生产100×10⁴t的干冰，其过程火用损较小；其剩余的高温位冷量可应用于低温冻结库或冰灯等项目，这对主体装置的实施效果和过程火用损的影响较小。该技术的优点在于可灵活控制冷却空气的液化率，基本不用冷却循环水，流程简单，设备投资少，能耗低等。     

Ca-DTPA和Zn-DTPA交替使用降低~(238)Pu致大鼠骨肉瘤发生率的效果

本实验用 Ca-DTPA 和 Zn-DTPA 交替促排~(238)Pu,降低大鼠骨肉瘤的发生率,减少 DTPA 促排的副作用。对大鼠肌肉注射3.7×10~4Bq/kg(体重)~(238)Pu2小时后,交替(每隔一日)肌肉注射 Ca-DTPA 和 Zn-DTPA,共促排90天。实验结果表明,促排结束时,促排组骨肉瘤发生率为10%,而对照组为40%;促排46天后,促排组骨、肝和肾中~(238)Pu 滞留量明显低于对照组。     

精馏塔动态数学模型 Ⅰ.汽相滞留量对数学模型的影响

在精馏塔模型化当中,塔盘上的汽相滞留量常常被忽略,这对于低压或常压精馏过程是合理的,但对于高压精馏过程,却可能带来严重的误差。为了避免这一问题,本文提出了一种非常通用的精馏塔动态数学模型,系统地综合了塔盘汽相滞留量的影响。通过对某脱乙烷精馏塔的动态计算模拟,充分证实了它的准确性。     

熔体滞留时间对注件质量的影响

通过采用不同的加工工艺条件，研究PBT制件表面结构以及质量性能受加工条件的影响状况，微小型注射制件的主要性能与塑料熔体在料筒内的停滞时间密切相关，制件受热载荷量越大，则制件性能越容易脆化变劣。     

从奥林匹亚难处理砷黄铁矿精矿中提金的细菌氧化条件

本文着重研究了从奥林匹亚难处理砷黄铁矿精矿中提取金的细菌氧化条件，其中包括ｐＨ值，矿浆密度，滞留时间等因素的影响，试验选用的细菌为氧化铁硫杆菌。     

屈原流放新证

治骚者大都从屈原流放考证人手,因为屈原流放诸问题与屈赋内容紧密相关,必须由此理清线索,方能窥屈赋艺术神殿之堂奥.本文试图运用当代考古学、历史学、文学、文字学等研究领域中的新观点、新材料对长期争论不休的屈原流放诸问题进行探索,将相关的问题置于广阔的历史文化背景中进行全面考察,以企在前人研究的基础上,对有关的文学史问题作出合理解释,恢复历史的本来面目.     

不同辐射体核素在生殖细胞的滞留诱发放射遗传毒理效应比较研究

研究了机体摄入核裂变产物中的纯β辐射体核素~(147)Pm或β,γ混合辐射体核素~(134)Cs后,在生殖系统睾丸中的滞留诱发生殖细胞染色体畸变和精子畸形效应。实验结果拟合的~(147)Pm在睾丸内滞留方程为:R(t)=0.1872×e~(-0.0066t)其滞留半减期长达105天,可见~(147)Pm在睾丸中呈持续性蓄积,较难转移。至于~(134)Cs在睾丸中拟合的滞留方程为:R(t)=0.0045×e~(-0.133t),其滞留半减期只有5.2天,表明~(134)Cs在睾丸中的转移是较快的。实验发现,受~(147)Pm或~(134)Cs内污染时,均可诱发精原细胞染色体畸变,且以染色单体型畸变为主,而染色体型畸变的断片或易位较少呈现。同时也观察到~(147)Pm对初级精母细胞的遗传损伤效应,可产生染色体断片和易位,出现多价体。~(147)Pm和~(134)Cs所诱发的精子畸形主要都是无钩精子,只是~(147)Pm在诱发精子畸形的程度上要高于~(134)Cs。鉴于~(134)Cs在睾丸中的滞留程度远比~(147)Pm为低,且其滞留半减期亦远低于~(147)Pm,其所致的累积吸收剂量亦就小于~(147)Pm。所以,~(134)Cs摄入机体后所诱发的精原细胞染色体畸变和精子畸形等放射遗传毒理效应,亦较~(147)Pm为低。     

注聚井注入状况诊断方法研究

在室内试验和动态分析的基础上，对引起注聚井注入困难的原因进行了分析，提出了利用单井动态预测结果和实际注入动态曲线对比判断聚合物注入状况的方法，建立了预测注聚井注入动态的预测模型，并对数值模拟计算结果进行了分析。同时还评价了现场应用效果。通过数值模拟和实际注入动态曲线对比，可以初步判断待措施井有无近井地带堵塞，为提高注聚井压解堵措施的有效性奠定了基础。     

硅外延片中的杂质控制

有5类掺杂源影响硅的外延片中的杂质分布。主掺杂质控制外延层的杂质浓度，决定外延层的电阻率。固态外扩散、气相自掺杂和系统自掺杂影响衬底界面附近的外延层杂质浓度的深度分布。该文介绍了此3类掺杂源的掺杂过程和抑制方法。金属杂质在外延层中对器件有害，防止沾污和使用吸杂技术能降低金属杂质在外延层中的浓度。