涪陵地区茅三段热液白云岩展布影响因素分析

针对热液白云岩展布非均质性强的问题,开展基底断裂与茅三段沉积演化关系研究,分析断裂样式与白云岩分布关系,建立沉积演化模式,预测白云岩的分布。研究结果表明:茅三段可划分为5个小层,1~3小层为白云岩发育主要时期,4~5小层为台地均一化时期,不发育白云岩;15-1、15-2和16号基底断裂控制了早期“台-洼”相间的沉积地貌,断裂附近的地貌高部位为生屑滩发育有利部位,为白云岩的发育提供物质基础;15-1、15-2号基底断裂样式为花状,周边生屑滩白云石化程度高,为白云岩发育最有利区;16号基底断裂为直立状,附近白云石化发育程度较低,为白云岩发育较有利区。研究成果可为热液白云岩领域的进一步勘探提供指导依据。     

下扬子地区下志留统风暴沉积特征及风暴作用对泥页岩品质的影响

近年来在下扬子地区页岩气地质调查井所获取的地层岩心资料，揭示该地区下志留统风暴沉积较为发育。基于精细的岩心观察描述，详细分析了下扬子地区下志留统高家边组下段中上部风暴沉积的特征，并阐明了风暴作用对泥页岩的影响。研究表明：研究区风暴岩岩性偏细，以粉砂岩为主，石英含量较高，结构成熟度较低，具2种不同的粒度概率曲线；主要发育底部冲刷面、块状层理、平行层理、丘状交错层理、波纹交错层理、准同生变形构造等沉积构造；垂向上主要识别出4种风暴沉积序列，均具有从底到顶粒度变细的沉积特征，不同的沉积序列与风暴流能量的强弱有关。下扬子地区早志留世频繁的风暴活动与研究区的古地理背景和古气候条件具有内在联系。特大型风暴对浅海陆棚深水区的细粒泥质沉积物特征产生重要影响，包括降低有机质含量、减少单层厚度、破坏垂向连续性、改变原始沉积构造和侧向稳定性等，总体上降低了泥页岩的品质。因此，研究认为在页岩气的勘探和评价过程中应重视风暴因素对陆棚深水区原始泥质沉积物的影响。     

一步电沉积制备Ni Al-LDHs/CS/CNTs修饰电极及用于构建非酶葡萄糖传感器

采用恒电位法将镍铝水滑石、壳聚糖和碳纳米管一步电沉积在电极表面,构建了一种新型的非酶葡萄糖传感器。对制备的Ni Al-LDHs/CS/CNTs修饰电极进行了表征,并对其传感性能进行了电化学测试,结果表明该修饰电极对葡萄糖的氧化展现出优秀的电催化性能。在优化条件下,其线性范围为10μM-5.85m M,灵敏度为1.056 m A·m M-1cm-2,其最低检测限为1μM(三倍信噪比)。该传感器具有灵敏度高、重现性好、稳定性高以及抗干扰能力强等特点。     

基于MATLAB的ZNⅡ真空电容投切开关操动机构设计

ZNⅡ型真空电容投切开关专为频繁投切电容器组的场合设计,其操动机构由凸轮传动机构和弹簧储能机构组成。根据文献研究,开关的速度输出特性能够体现其灭弧性能的好坏。笔者综合分析开关各参数的影响,利用MATLAB软件的优化工具箱对ZNⅡ型真空电容投切开关进行设计,能够得到比较理想的速度输出特性。     

真空断路器欠压线圈失效分析

文章简要介绍了案例中真空断路器欠压线圈故障现象及事态影响，重点分析了欠压线圈失效机理，进而找出元件失效的真正原因。     

脉冲电沉积镍-铜合金

采用脉冲电沉积技术在304不锈钢表面制备Ni-Cu合金镀层,镀液组成和工艺条件为:NiSO4ꞏ6H2O 200g/L,CuSO4ꞏ5H2O 10 g/L,十二烷基硫酸钠0.2 g/L,柠檬酸钠80 g/L,糖精0.2 g/L,pH 4.0,温度25°C,搅拌速率30 r/min,平均电流密度40~120 mA/cm2,脉冲频率0~100 Hz,占空比20%~90%,时间30 min。研究了平均电流密度、脉冲频率和占空比对Ni-Cu合金镀层的元素组成、表面形貌和显微硬度的影响,得到较优的工艺参数为:平均电流密度40 mA/cm2,脉冲频率50 Hz,占空比60%。该条件下所得Ni-Cu合金镀层由质量分数分别为56.53%和43.47%的Ni和Cu组成,呈“菜花”状形貌,结晶细致、均匀,显微硬度为614.4 HV。     

浅谈压延铜箔光面色差的成因

针对压延铜箔在表面处理过程中光面易出现色差的问题,从设备、工艺、人员操作等方面进行成因探讨,并给出了应对措施。     

真空开关触头结构形式对磁感应强度和电磁力的影响

笔者采用仿真计算的方法,对不同结构形式的横磁触头磁感应强度和电磁力进行了分析,得出了触头结构形式对磁感应强度和电磁力的影响规律。16匝横磁触头结构的最大磁感应强度值(49.21 m T)最小,4匝横磁触头结构的最大磁感应强度值(63.86 m T)居中,螺旋槽横磁触头结构的最大磁感应强度值(74.54 m T)最大。16匝横磁触头结构电弧模型的电磁力(0.042 1 N)最小,4匝横磁触头结构电弧模型的电磁力(0.063 6 N)居中,螺旋槽横磁触头结构电弧模型的电磁力(0.117 6 N)最大。     

空气对HAC太阳电池晶体硅/本征非晶硅界面污染情况分析

采用热丝CVD法在N型体硅上以全程真空环境镀膜与IN镀膜后破真空再镀IP的不同形式,分别生长IN-IP非晶硅膜层,用WCT-120对薄膜钝化性能进行分析,并用wxAMPS软件模拟样品电池效率。比对结果表明:全程真空环境镀膜样品的反向饱和电流密度（J0）和理论开压（iVOC）分别为5.12×10-15 A·cm-2和0.731 V,模拟效率为23.15%;IN-IP破真空镀膜样品的J0和iVOC分别为9.06×10-14 A·cm-2和0.654 V,模拟效率为20.24%。因此,热丝CVD全程真空环境相对于IN-IP破真空镀膜具有更优的膜层生长方法。