MIC总线控制器中存储器的可测性设计

MIC总线控制器远程模块专用集成电路内部嵌入的存储器采用了存储器内建自测试技术（Memory Built—in—Self Test，MBIST），以此增加测试的覆盖率，同时MBIST还具有故障自动诊断功能，方便了对宏模块的故障定位和产生针对性测试向量。本文将介绍用于嵌入式存储器设计的MBIST技术，并结合MIC总线控制器远程模块专用集成电路对存储器的可测性设计（DFT）进行阐述。     

“无中生有”的免费能源

我相信,大多数人都记得英国摇滚乐队"Dire Straight"的单曲"Money for Nothing(金钱无用)",不过有多少人曾经想到过,有一天"金钱无用"也能适用于能量收集!免费能源如同"无中生有",所以在能量收集领域,     

世界混合动力汽车发展动态

根据国际电子技术委员会的定义，混合动力电动汽车（hybrid electronic vehicle，HEV）是一种能够根据特定的运行要求，从两种或两种以上能量源、能量储存器或转化器中获取驱动力的汽车，在运行中至少有一种能量储存器或转化器直接驱动汽车，并且至少有一种能量源、能量储存器或转化器能够传递电能。     

利用同步晶化法制备的镍纳米晶的电荷存储特性

快速退火纳米晶化法是目前常用的金属纳米晶制备方法,但其后续600~900℃高温退火会降低器件的电学特性和可靠性。本文提出了热预算低的金属纳米晶制备的新方法—沉积过程中的同步金属薄膜原位纳米晶化法,可以省掉后续单独的退火处理工艺,使金属薄膜同步产生纳米晶化,降低工艺热功耗及简化工艺,从而有效地改善上述薄膜沉积后退火纳米晶化法的不足。在不同衬底温度（250~325 ?C）下,利用同步纳米晶化法制备镍纳米晶存储器。随着生长温度的增加,其存储窗口先增加到最大值再降低。衬底温度为300 ?C时,其存储窗口（2.78 V）最大。与快速热退火法镍纳米晶存储器相比较,同步纳米晶化法制备镍纳米晶存储器具有更强的电荷存储能力。另外,研究了不同操作电压和脉冲时间下器件的平带电压偏移量,当操作电压增加到±10 V时出现了较大的平带电压偏移量,这表明器件发生了大量的载流子（电子和空穴）注入现象。最后,模拟了金属纳米晶存储器的载流子（电子和空穴）注入和释放过程。     

使用FIFO完成数据传输与同步(上)

将数据从一个时钟域同步至另一个时钟域,常用的两个方法为:1、使用握手(handshake)信号;2、使用FIF0.使用握手方法的缺点是传递及辩识用于数据传输的所有握手信号所需的潜伏时间(1atency)会增加延迟并降低传输效率.因此时钟域之间传递数据最常用的方法是使用FIF0.异步FIF0的运作(operation)方法是:数据从一个时钟域写入FIF0,该数据从另一个时钟域自FIF0读出.本文讨论两种异步FIF0的设计技巧:1、比较同步指针;2、比较异步指针.     

检测塑料制件的新方法

德国巴斯夫公司已成功开发出滚塑级PA6树脂,这是一种未增强型的PA6树脂原料,其中分别有本色的Capron牌号和黑色的BR30HS两种品级,有望应用于汽车制造业领域．可加工生产的制件有：冷却液储存器、液压油及燃油箱等。     

大容量闪存AT29LV040A原理及应用

ＡＴＭＥＬ公司生产的闪存ＡＴ２９ＬＶ０４０Ａ具有低功耗、大容量、擦写速度快的特点，可与各种单片机连接。本文介绍了ＡＴ２９ＬＶ０４０Ａ的功能特点、工作一原理及与单片机的接口。     

数控铣削中G10指令的巧用

在手工编程加工中半径补偿值输入CNC储存器的方法有两种。方法1：用手动的方法将要使用的半径值从GRT面板中直接输入CNC储存器内,这种方法输入的半径值是固定不变的。方法2：在程序中用指令GIO将对应的半径值输入到储存器内，通过变量的形式设半径值为一个变量再与GIO对应，将不断变化中的半径值输入CNC储存器中，     

Iomega储存器变身拓展市场空间

资讯科技发展一日千里,说高科技是大势所趋,相信没有人会反对。高科技在中国虽仍处起步阶段,但同行竞争愈演愈烈,要稳占一席位也非易事,更遑论突围而出。其实,业内企业要拓展市场空间,除要做好本分,在技术及时间方面争胜以外,若有一套具效益的推广策略相配合,肯定能收事半功倍之效。     

未来存储新技术的发展方向

目前，存储技术在通信领域得到了广泛应用，现代通信技术也对存储技术提出了更高和更新的要求，其中大型通信基站对网络存储提出了高可靠、高传输率的要求，而手持式设备对存储单元的小体积、低功耗提出了要求。在不久的将来，半导体存储、磁盘存储和光盘存储将会达到其存储极限，它们不可能做得更小或更快速，因为物理上不能把数据包装的