不同驱动受MOS极间电容影响的研究

随着电力电子技术的发展,MOSFET在高频开关电源中的应用日益广泛.然而随着MOSFET开关频率的不断提高,MOSFET极间电容引起的能量损耗也逐渐增加,对驱动波形的畸变影响也越来越大,因此MOSFET对驱动电路的要求也越来越高.如何提高开关驱动效率,减小开关动态损耗就越来越受到重视.本文首先分析高频下MOSFET极间...     

电火花微精加工中的极间电容放电

本文推理了电容放电特性参量,讨论了极间电容放电影响下的临界加工面积问题。     

脉冲法测试静电感应晶体管极间电容

求解S1T对阶跃信号的响应,寻找出各极间电容对上升时间t_r的影响,以此为基础,推算各极间电容,分离出器件线性区的C_(GS)、C_(GD)。实测表明,在器件沟道夹断后,C_(GS)随I_D的上升而略有增加,而不是常规测试的恒定值。     

电容近炸引信探测灵敏度研究

为提高电容近炸引信的探测距离,从物理概念和信息传输角度建立了电容引信探测灵敏度模型,得到了探测灵敏度的微分表达式;从探测电路灵敏度和信号处理电路灵敏度分别分析了影响探测灵敏度的参数及其影响关系,最后给出提高电容近炸引信探测灵敏度的行之有效的途径。     

基于单根氧化锌纳米线的场效应管的光电特性研究

本文介绍了一种基于单根氧化锌纳米线场效应管的制备方法,用XRD和SEM分析了样品的结构和形貌,测试了它的输出特性曲线和转移特性曲线.当Vds=2 V时,测得场效应管的开启电压Vgt=-16.2 V;计算得到低频跨导gm=46.6nS.在Vgs=0 V时,测得一维ZnO纳米线的载流子浓度n=1.15×108 cm-1,电子迁移率μe=14.4 cm2/Vs,电导率σ=0.26 Ω-1 cm-1.该场效应管的上限截止频率fH=1585 Hz,漏源极间电容C=25.4 pF.本文还对基于单根氧化锌纳米线的场效应管的光电灵敏度和光电时间响应进行了测试分析.     

常用阻容元器件的选型参考

电路原理设计完成后,产品性能的稳定可靠与否,往拄与选用的元器件参数、等级、质量等密切相关,设计者应针对产品应用环境以及电性能的要求,准确提出对元件参数的具体要求,包括标称值、精度及误差要求、稳定性要求、温度范围要求、安装尺寸以及与电路性能密切相关的其它要求.通常高性能的元器件,比如有可靠性要求或精度、稳定性要求的元器件,其外形尺寸比一般要求的产品要大得多。这就要求设计人员在PCB设计之前,针对开发的产品使用环境条件的要求,合理选择相应等级的元件.元器件生产商会在自己的产品目录中详细列出产品的型号及对应的参数,编制采购文件时,应在型号栏标明详细的型号。严格讲,这些参数应在电路原理设计时随时在电路中限定。现就常用组容元件(包括电容器、电阻器、电感器等)型号及参数的具体含义进行分析.     

基于FPGA的超声诊断仪动态滤波器的设计

引言超声成像是当今医学影像诊断的主要成像方法之一,它以超声波与生物之间的相互作用作为成像基础,具有对人体无伤害、无电离辐射、使用方便、适用范围广、设备价格低等优点。为了让超声图像能够更加清晰,现代超声诊断仪对超声信号     

如何展宽300 MHz放大器的通频带

在有线电视系统中,受放大电路中的电抗元件、放大器件本身的极间电容、截止频率等因素的影响,放大器的放大倍数将随输入信号的高低而变化,通常把放大倍数在高频段和低频段下降0.707倍时所包括的频率范围叫作放大器的通频带。放大器的通频带决定网络的带宽,随着有线电视网络带宽