多指版图结构对纳米MOSFET阈值特性的影响分析

针对纳米级工艺多指栅MOS晶体管的不同版图结构及其阈值波动的相关特性进行分析和研究。通过将基于Fujitsu 90nm工艺的三种不同版图结构实现的N型多指栅MOSFET器件阈值电压VTH作为工艺波动的研究对象,运用多元非线性回归算法对测试芯片进行系统工艺波动与随机工艺波动的提取和分析,并对与尺寸、版图结构相关的随机工艺波动特性进行了评估。测试结果表明三种版图结构中有源区共有结构具有最佳的电流驱动特性,有源区隔离结构抑制系统波动能力最优,折叠栅结构具有同尺寸器件较低的阈值电压并可以最有效地抑制随机工艺波动。     

异质结光晶体管的研究与进展

回顾了异质结光晶体管(HPT)在近年来的重要进展,综合分析了HPT的工作原理以及影响其性能的主要参数。综述了不同材料制作的HPT的研究现状,得出了目前限制HPT发展的主要因素及当前应重点解决由于基区表面复合等效应导致的增益下降和由于结电容的充放电限制的响应带宽等问题的结论。     

沟道迁移率全球最高的碳化硅半导体在日本问世

日本原子能研究所与独立行政法人产业技术综合研究所(以下简称产综研)，日前成功地联合开发出了采用碳化硅半导体底板的晶体管。作为晶体管性能指标的沟道迁移率(电子活动的难易度)，突破了实用化所要求的标准     

Cavin A-70T电子管放大器

对笔者这一代人来说，玩胆机（即电子管放大器）就象是在补课。我们开始接触音响时，这个世界早就是晶体管的天下了。如果不是因为1990年代束期音响界复古风潮的兴起，今天大行其道的胶木唱盘和早几年已经风靡的胆机是万万不可能再出现于我们面前的。     

Aero lled：单芯片EDGE收发器

Silicon Laboratories推出集成数字接口的Aerolied单芯片EDGE收发器。Aerolied不仅符合2．5GDigRF规格1.12版要求，还预先在许多先进的DigRF基带设计上完成验证，可为GSM／GPRS／EDGE移动电话、智能型手机和数据调制解调器提供体积小、整合度高和容易设计与制造的DigRF收发器。     

硬件锁中的无线USB

无线USB的前途似乎无与伦比——它能消除那些把大家桌面弄得像鼠窝一样小小的不怎么灵便的电缆。但事实上,只有需要大量的外设时无线USB设备才有优势,而且它必须非常微型而廉价,否则带来的麻烦远多于缠绕的电缆。因此,插在PC USB端口作为无线基站的硬件锁就必须有尽可能高的集成度。但一片芯片中要包含USB有线接口、控制器、无线基带和RF电路,技术上还无法实现。下面我们将看到一家供应商Wisalr的一种可量产参考设计,它是如何接近于解决这个问题的。     

现代雷达对抗信号环境射频脉冲模型研究

雷达对抗信号环境的仿真，是雷达对抗情报处理中的一个重要问题。本文主要天空现代雷达对抗信号环境的射频脉站模型，根据该模型，可以仿真各种现代新体制的雷达信号，进而生成高速速真的现代雷达对抗信号环境。     

CPU内核数量每两年翻一番

摩尔定律指出,半导体的晶体管数量每18个月至2年翻一番。我们可以把摩尔定律重新阐释为:CPU内核数量每2年翻一番。     

国外异质结双极晶体管的发展

随着微波半导体技术的发展，近年来出现不少新结构、新器件。本文介绍国外异质结双极晶体管的发展，包括ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ，ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ，ＧｅＳｉ等开发现状和性能参数达到的水平。     

IGBT准数值模型和模拟

本文采用数值计算与解析模型相结合的方法，建立了ＩＧＢＴ稳态特性的准数值模型。基于此模型与瞬态特性的电荷控制解析模型，我们开发了绝缘栅晶体管（ＩＧＢＴ）的稳态和瞬态准数值模拟软件包ＩＧＴＳＩＭ，可以模拟与ＩＧＢＴ的几何结构、掺杂分布、少于寿命相联系的直流和关断特性．本文介绍模拟所采用的物理模型、模拟技术和得到的结论，并给出部分模拟实例．