首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1063篇
  免费   22篇
  国内免费   86篇
电工技术   29篇
综合类   31篇
化学工业   66篇
金属工艺   68篇
机械仪表   114篇
建筑科学   14篇
矿业工程   4篇
能源动力   43篇
轻工业   13篇
水利工程   1篇
石油天然气   1篇
武器工业   4篇
无线电   572篇
一般工业技术   120篇
冶金工业   43篇
原子能技术   5篇
自动化技术   43篇
  2024年   5篇
  2023年   15篇
  2022年   8篇
  2021年   10篇
  2020年   12篇
  2019年   7篇
  2018年   8篇
  2017年   11篇
  2016年   16篇
  2015年   17篇
  2014年   34篇
  2013年   49篇
  2012年   53篇
  2011年   94篇
  2010年   60篇
  2009年   57篇
  2008年   82篇
  2007年   57篇
  2006年   68篇
  2005年   52篇
  2004年   66篇
  2003年   52篇
  2002年   29篇
  2001年   18篇
  2000年   26篇
  1999年   22篇
  1998年   29篇
  1997年   21篇
  1996年   27篇
  1995年   34篇
  1994年   17篇
  1993年   22篇
  1992年   18篇
  1991年   34篇
  1990年   18篇
  1989年   20篇
  1986年   1篇
  1985年   1篇
  1981年   1篇
排序方式: 共有1171条查询结果,搜索用时 218 毫秒
1.
2.
叶志镇  谢琪 《半导体学报》1996,17(12):932-935
本文报道了自己研制的一台超高真空化学汽相溶积系统,本底真空达10^-7Pa。该系统配有反射高能电子衍射仪,可对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控。  相似文献   
3.
刘莉  秦福 《半导体学报》1998,19(7):538-541
本文研究了一种新的、具有实际应用价值的硅片吸除技术.该技术包括利用PECVD法在腐蚀硅片背面沉积400~800nm厚的非晶硅膜,再经过650~680℃温度的热处理,使沉积膜与硅片结合更牢固,之后,把硅片进行抛光.结果表明,该技术能有效地消除硅抛光片表面的雾缺陷,同时硅片表面层少子寿命可提高2~4倍.  相似文献   
4.
5.
用化学腐蚀制备多孔硅太阳电池减反射膜的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
《材料科学与工程》2002,20(4):507-509,567
  相似文献   
6.
7.
8.
本文介绍硅片粘合杂质双扩散制造晶闸管工艺,结合光刻门极化学挖槽技术,简化制管工序,改善了器件的电性能指标。  相似文献   
9.
本文介绍了硅片背面的三种主要损伤吸除技术:机械损伤、激光辐照和离子注入技术。对这三种吸除技术的机理、工艺条件、应用情况和近来进展,作了详细的评述。  相似文献   
10.
对重掺As硅片进行快速热处理,发现重掺As硅片中氧沉淀行为与快速热处理温度、保温时间和降温速度有很大的关系.随着快速热处理温度的升高、降温速度的增大和保温时间的延长,氧沉淀的密度增大.最后对影响的机理进行了讨论.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号