功率MOSFET驱动保护电路设计与应用

分析了对功率MOSFET器件的设计要求;设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单,实用性强,响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明,该电路驱动能力及保护功能效果良好。  

功率MOSFET高速驱动电路的研究

基于特定情况下对驱动电路特殊的要求，介绍了一种输出电流大，带负载能力强的MOSFET高速驱动电路。对电路的工作特性进行了详细的讨论，并给出了不同频率下该电路的实验结果。  

基于SiC MOSFET户用光伏逆变器的效率分析

户用型光伏逆变器的发展趋势是高频化、高效率、高功率密度，近年来，SiC MOSFET在电机驱动、光伏逆变器等场合得到了广泛研究。本文将SiC MOSFET应用于1.6kW两级式光伏逆变器中，提高逆变器的开关频率，对前后两级独立进行了效率分析。在前级Boost中，比较了20 kHz 到100kHz 开关频率下，SiC MOSFET和Si MOSFET 对Boost效率的影响；在后级逆变器中，比较了100 kHz SiC MOSFET逆变器与20 kHz Si MOSFET H6逆变器的效率。搭建了1.6kW两级式光伏逆变器实验模型，采用SiC MOSFET，并在逆变器实验模型上对分析结果进行了实验验证。  

低场核磁共振系统的脉冲功率激励源

本文提出了一种实用可靠、经济简单的低场核磁共振系统的脉冲功率激励源设计方案.通过理论和实验结果验证了开关功率放大的互补输出电路可以满足低场核磁共振系统中功率激励源的特殊要求.给出了功率MOSFET在开关频率2MHz以下的驱动电路设计.该方案已应用在低场核磁共振系统中的脉冲激励源上,具有输出效率高、频率范围宽、调谐方便,有利于核磁共振实验时谐振点搜寻等优点.  

IR2111和IR2130在PWM直流伺服系统中的应用

介绍了IR2111和IR2130功率MOSFET/IGBT驱动器的特点 ,分析了以IR2111和IR2130作为功率元件驱动器的PWM直流伺服系统主电路的工作原理。  

SiC MOSFET特性及其应用的关键技术分析

SiC MOSFET(silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)以其优越的特性受到国内外学者的广泛关注,采用SiC器件的变换器能够采用高的开关频率、适应高温工作,实现高的功率密度,在一些应用场合能够代替Si基高频开关器件而显著提高电能变换装置的性能。然而,SiC器件与Si器件存在较大的差异,在实际应用中直接替换使用会存在诸多的问题,例如提高工作频率后产生的桥臂串扰、电磁干扰EMI(electromagnetic interference)等问题。目前已有大量关于SiC MOSFET应用研究的文献,但大部分都是针对SiC MOSFET应用中个别问题的研究,尚缺少对SiC MOSFET应用研究成果的系统性归纳与总结的文献。首先基于对SiC MOSFET与Si MOSFET/IGBT(insulated gate bipolar transistor)的静态、动态特性的对比,总结出SiC MOSFET在实际应用中需要关注的重点特性;然后从SiC MOSFET建模、驱动电路设计、EMI抑制以及拓扑与控制方式的选择等方面对已有的研究成果进行归纳与评述;最后指出了SiC MOSFET在应用中所需要研究解决的关键问题。  

基于MOSFET管的电压型逆变器电流质量的改进研究

针对基于MOSFET管的电压型逆变电路 ,从MOSFET管的特性和逆变电路两方面深入详细地探讨了它们对电压型逆变器电流质量的影响 ;同时深入分析了在带负载情况下 ,MOS FET管和逆变电路的耦合作用对电路的综合影响。并就此提出改进方案 ,仿真结果和实验结果表明 ,改进效果非常明显。  

SiC MOSFET驱动电路及实验分析

根据SiC MOSFET开关特性,设计了一种SiC MOSFET的驱动电路,在此基础上采用双脉冲测试方法,对SiC MOSFET的开关时间、开关损耗等进行了实验测量,分析了不同驱动电阻对SiC MOSFET开关时间、开关损耗等的影响。  

基于Matlab的功率MOSFET建模

针对Matlab/PSB中MOSFET的理想开关模型的不足,提出了一种以功率MOSFET输出特性曲线为核心建立其特性模型的方法。该模型不但能精确模拟稳态的各种特性,也能够描述开关瞬态的过程。将模型应用于固态开关的仿真中,仿真结果与实验波形证明了该模型的正确性与准确性。  

经济型智能化数控步进电机驱动系统

介绍了以8098单片机与大功率MOS-FET构成的数控步进驱动系统,成本低廉,性能优良;具有体积小、重量轻、快速启停、精确定位、运行稳等特点.