CoSb_3系热电材料的研究进展

介绍了CoSb3合金的基本特性、制备方法和成分掺杂.评述了目前通过不同的元素掺杂在热电性能方面取得的重大进展.指出通过结构优化、组分调整,可进一步提高CoSb3基合金的热电性能.     

镁掺杂磷铝分子筛可见光光催化性能的初步研究

采用水热反应的方法合成了金属镁掺杂的磷铝分子筛MgAPO-5,通过XRD、DR UV-Vis、FT-IR等手段对其结构性能进行表征,并以亚甲基蓝溶液为目标降解物,在可见光下考察了MgAPO-5的光催化性能.结果表明,MgAPO-5具有与AlPO4-5相同的分子筛结构,掺杂的镁可能存在于磷铝分子筛的骨架中,在可见光下对亚甲基蓝溶液具有优良的光催化性能,反应5 h,脱色率可达92.5%.     

光亮黑色锡-钴镀液中Sn2+的测定

1前言 近年来,随着欧美、日本等发达国家禁止对含镍饰件的进口,光亮黑色锡-钴电镀已经在相关领域内完全取代了黑镍和黑色锡-镍合金电镀,但由于工艺控制困难,生产中往往靠经验,所以次品率很高.本公司在推广该工艺的过程中,总结了一套准确快速的现场化验手段.     

Ca掺杂钨镁酸铅陶瓷材料的制备及其介电性能

研究了Ca掺杂钨镁酸铅(PMW)陶瓷材料的合成、结构、烧结以及介电性能。结果发现：在Ca^2 摩尔分数小于15％时，能形成单相的PCMW钙铁矿相，结构由原来的斜方相向立方相转变。用二步合成法制备的样品容易致密烧结，气孔率比一步法制备的样品小。Ca的加入降低了材料的介电损耗，在频率为1MHz时，介质损耗达到了10^-4。当Ca^2 摩尔分数大于10％时，材料的Curie峰宽化显著，介电常数温度系数降低。     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.     

提高钴冶炼回收率的生产实践

本文简述了从低品位钴渣中回收钴的生产实践,找出了影响钴回收率的主要因素.重点介绍了所采取的相应措施。使钴冶炼回收率达到80%以上。同时还提出了正待改进的方面。以进一步提高钴冶炼回收率。     

LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究

研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了ＬＤＤ结构参数对器件击穿特性的影响，并结合实验结果对Ｎ＾－区的注入剂量，长度及引入的串联电阻进行了优化设计。     

超细Fe3O4粒子表面包覆酞菁钴性质研究

本文研究了合成载氧体的金属有机化学液相淀积法制造工艺，所得产物经ＴＥＭ、ＸＰＳ、Ｍｏｓｓ－ｂａｕｅｒ谱和Ｂ－Ｈ仪等手段，研究了它的结构和磁性能。实验表明，酞青钴以薄层形式包覆在Ｆｅ＿３Ｏ＿４的表面，封闭了Ｆｅ＿３Ｏ＿４的表面孔洞，稳定了Ｆｅ＿３Ｏ＿４的物相，增强了磁性能。