Fluorene-centered perylene monoimides as potential non-fullerene acceptor in organic solar cells

A fluorene-centered perylene monoimide dimer, PMI-F-PMI with a partly non-coplanar configuration has been developed as a potential non-fullerene acceptor for organic solar cells (OSCs). The optimum power conversion efficiency (PCE) of the OSC based on PMI-F-PMI as acceptor and poly (3-hexyl thiophene) (P3HT) as donor is up to 2.30% after annealing at 150 °C. The PCE of 2.30% is the highest value for the OSCs based on P3HT donor and non-fullerene acceptor lies in that PMI-F-PMI’s lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) level around −3.50 eV matches well with the donor P3HT to produce higher open-circuit voltage (V_oc) of 0.98 V. Meanwhile, PMI-F-PMI makes remarkable contribution to devices’ light absorption as the maximum EQE (30%) of the devices is at 512 nm, same to the maximum absorption wavelength of PMI-F-PMI. The other favorable characteristics of PMI-F-PMI in bulk heterojunction (BHJ) active layers is proved through the photo current density measures, the relatively balanced electron–hole transport, and the smooth morphology with root mean square (RMS) value of 1.86 nm. For these advantages, PMI-F-PMI overwhelms its sister PMI-F and parent PMI as an acceptor in BHJ solar cells.     

Annealing and doping-dependent magnetoresistance in single layer poly(3-hexyl-thiophene) organic semiconductor device

We compare the current density–voltage (J–V) and magnetoconductance (MC) response of a poly(3-hexyl-thiophene) (P3HT) device (Au/P3HT(350 nm)/Al) before and after annealing above the glass transition temperature of 150 °C under vacuum. There is a decrease of more than 3 orders of magnitude in current density due to an increase of the charge injection barriers after de-doping through annealing. An increase, approaching 1 order of magnitude, in the negative MC response after annealing can be explained by a shift in the Fermi level due to de-doping, according to the bipolaron mechanism. We successfully tune the charge injection barrier through re-doping by photo-oxidation. This leads to the charge injection and transport transitioning from unipolar to ambipolar, as the bias increases, and we model the MC response using a combination of bipolaron and triplet-polaron interaction mechanisms.     

轴端沟槽底部激光强化工艺参数优化研究

分析了选用不同激光能量密度对HT300进行表面强化处理时，材料表面呈现的四种状况；未相变硬化、相变硬化、表面微熔与表面熔凝的金相组织。根据工艺要求，选取相变硬化方法对轴端沟槽底表面进行处理。分析了工件激光处理方法并通过试验研究，寻找轴端沟槽底部激光强化工艺参数；激光功率（P）、光斑直径（D）及扫描速度（V）的优化组合。硬度测试及耐磨性能试验表明：激光相变处理和激光熔凝处理后轴端沟槽底部表面较表面感应淬火硬度分别提高7%和34%，绝对磨损体积分别下降了13%和25%。实践证实，对轴端沟槽底部激光相变硬化处理方法较其他表面处理方法工艺简单，加工工件符合技术要求，试验结果对零件表面处理提供了可靠依据。     

荆门热电厂4号炉高温再热器超温控制

分析了荆门热电厂4号炉高温再热器超温的原因，提出了减缓超温程度的措施，并取得了较好的成效。     

基于MG811探头的二氧化碳采集系统设计

二氧化碳采集系统以德州仪器公司的MSP430F169为主要控制芯片,采用MG811二氧化碳气体感应探头检测二氧化碳气体浓度。通过HT1621来驱动段式LCD,显示测量的二氧化碳浓度数据,系统外扩M25P80芯片,实现对测量数据的存储,并可通过USB与上位机进行通信。实验证明,该系统设计工作稳定、结构简单、便于携带,有良好的推广前景。     

基于SHT71的温湿度无线远程监控系统

针对温室大棚的温湿度采集,提出了一种无线远程系统设计方案,介绍了系统结构和软硬件设计．系统以HT46R24单片机为节点控制核心,采用了数字式微型智能传感器SHT71,通过GSM网络与上位机进行无线数据通信．当温湿度出现异常时,启动语音报警功能,控制通风装置进行环境温湿度调节．上位机软件采用VB6．0编写,实现了与温湿度采集节点的数据通信以及对采集到的数据进行处理、储存、分析等操作．实验表明,系统运行稳定,具有很好的环境适应性．     

气象实时显示模拟系统

采用HOLTEK生产的AD型单片机HT46R232作为主控制芯片,实时的对大气条件参数温度、湿度、风向和风速进行采集和测定,经过相应的处理后,使用LED显示,并根据气象条件为行人外出提供出行适宜参考指数。同时本系统具有时间显示和设定功能。     

一种具有来电显示及DTMF信号收发功能的智能控制模块设计

探讨了FSK来电显示技术及DTMF编解码技术,给出了具有来电显示和DTMF信号收发功能的智能控制模块的硬件结构和软件流程。采用AT89C52单片机控制HT9032C、MT8880等芯片,设计实现了基于电话网的DTMF信号的收发以及来电信息的采集智能控制模块,并通过RS232接口与上位机通信,提出了软硬件抗干扰的具体措施。     

ARM7的键盘与VFD显示器接口技术

针对目前仪表行业以及工业生产过程中的显示模块,提出一种使用ARM微处理器实现键盘和VFD的显示方法。这种方法可实现多位数字和字母的显示,适用于一些要求具有高精度和高对比度的场合。本设计采用HT16511进行驱动,可以节省I／O口的使用,实现起来也比较简单,且具有很好的通用性。     

供热自动控制中的室温采集电话的设计与实现

应用于供暖自动控制中的室温采集电话除了具有普通电话机的功能外还具有采集室温的功能.室温采集电话通过公共电话网络,接收到室温采集基站的请求后将温度上传至PC机,构成远程温度采集系统.本文基于普通电话的通话电路用HT95C30P微控制器和温度芯片LM92设计和实现室温采集电话.