淬火固态再结晶工艺研究

本文在分析淬火固态再结晶(CR)工艺生长碲镉汞(MCT)晶体原理基础上,研究了 CR 工艺生长 MCT 晶体有关步骤,改进了合成、淬火及再结晶工艺。合成时采用混合温度分布方式简化了升温及合成炉摆动工艺;淬火时在反应管内加石墨塞子改善了晶体组分均匀性;再结晶时采用温度梯度退火提高了再结晶效率。对改进工艺生长的 MCT(x=0.2)晶体组分均匀性、结构完整性、光学和电学性质进行了分析,结果表明晶体质量有明显提高。     

预处理和织构对A1—4.5Mg—0.7Mn合金恢复和再结晶的影响

用测量硬度和电导率以及应用织构分析的方法研究了恢复和再结晶在冷轧Ａｌ－４．５Ｍｇ－０．７Ｍｎ中的发展。为了研究这些参数对动力学和在变形、恢复及再结晶时织构演变的影响，在冷轧之前使用合理的预处理改变沉淀状态和初始织构。最后，把获得的结果与用传统法生产的材料进行了比较。     

Ti─17合金高温变形机理研究EI

用热模拟压缩试验研究了Ｔｉ－１７合金高温变形特点，通过金相组织和ＴＥＭ观察发现，β区变形是以扩散回复型变形机制占主导地位；高应变速率下只发生动态回复；低应变速率下发生连续再结晶。（α＋β）区变形是界面滑移，高应变速率下易发生动态再结晶。试验还确定了变形激活能Ｑ和应变速率敏感因子ｍ值，β和（α＋β）区中分别为１６１ｋＪ／ｍｏｌ、４３７ｋＪ／ｍｏｌ和０．３２、０．２５。     

激光区熔再结晶SOI的杂质分布与迁移率研究

本文介绍一种确定ＳＯＩ／ＭＯＳ结构中沿硅薄膜厚度多子漂移分布和杂质分布的简单方法（其掺杂剖面是随机不均匀的）。这种方法基于使用一种耗尽型晶体管与栅控二极管的组合结构。作者列举在激光区熔再结晶多晶硅制的ＳＯＩ结构和ＳＯＳ结构上以相同工艺制作器件的对比研究结果。由这些结果可见，在包含有晶粒间界和子晶粒间界的ＳＯＩ薄膜中，沿膜厚的载流子迁移率是恒定的，而且远远超过ＳＯＳ膜中的迁移率。     

平面Z-型软磁铁氧体频率特性的研究

研究分析了Co2Z材料显微结构与磁性能的关系,在普通铁氧体工艺中引入预磁化处理方法,并适当控制二次再结晶现象,成功地研制出高性能的Co2Z型宽频材料,Z-型铁氧体材料的共振频率可达1.8GHz以上,截止频率在1GHz附近,起始磁导率在8-13之间,介电常数相对较低(ε'<30)。     

钼、铼和钨的合金

一种钼、铼和钨的合金，它的抗侵蚀能力、延性和强度都得到改善，而且再结晶温度也较高。此合金可制成适用于生产如氟氯代烷之类化学品的设备。     

GH105合金热塑性和再结晶的研究

通过晶粒长大倾向性试验、不同温度下的拉伸试验及落锤试验,对GH105合金的热塑性和再结晶规律进行了研究.