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1.
薄膜的截面TEM样品制备 总被引:1,自引:0,他引:1
薄膜材料的厚度仅为微米量级或者更薄,对其微结构的研究十分困难,许多表征方法难以采用。透射电子显微分析(TEM)是薄膜材料微结构研究最重要的手段之一。尽管采用TEM平面样品研究薄膜的微结构在样品制备方面相对容易,但由于薄膜依附于基材生长,且通常具有择优取向和柱状晶生长等微结构特征,因而采用截面样品从薄膜生长的横断面进行观察和研究,可以得到更多的材料微结构信息。但是薄膜的TEM截面样品制备过程较为繁杂,难以掌握。已有的文献主要介绍了Si基片上生长薄膜的TEM截面样品制备方法,对金属基片薄膜截面样品的制备方法介绍不多。 相似文献
2.
介绍了反射电子显微术的成像原理和实现这种技术的方法,报道了用JEM-200CX电镜对Pt(111)小面微结构观察的结果。利用反射电子束成像可以揭示平坦小面的微观结构,如单原子高度的台阶,位错露头和滑移迹线等;利用背散射电子成像,可以揭示Pt(111)小面微结构的转变。实验结果表明,反射电子显微术是分析表面微结构的有效方法。 相似文献
3.
本文通过对排土场形成后的基底黄土层以及不同载荷下原状土体的微结构特征变化的研究,提出了承载土体内粘土演化弱层的观点。 相似文献
4.
5.
用磁控溅射方法制备了系列 (Fe0 .86 Zr0 .0 33Nb0 .0 33B0 .0 6 8Cu0 .0 1 ) x(Al2 O3) 1 -x颗粒膜样品 ,体积百分比x从 0 .3 3~ 0 .63 ,样品厚度约为10 0nm。室温下在Fe0 .86 Zr0 .0 33Nb0 .0 33B0 .0 6 8Cu0 .0 1 体积百分比x =0 .43时得到 17.5 μΩ·cm的最大饱和霍耳电阻率 ,比纯铁磁金属提高了 3~ 4个量级。对其磁性和微结构进行了研究 ,样品霍耳电阻率随外场的变化曲线 ρxy~H与磁场平行于膜面时的磁化曲线M~H有相似性 ,说明霍尔电阻率 ρxy与磁化强度M相关。样品电阻率 ρxx随金属体积百分比x的减小而增加 ,在x =0 .43附近发生突变 ,从金属导电变为绝缘体。根据微结构和输运性质对可能的机制进行了探讨 相似文献
6.
针对一种以方形硅膜片为一次敏感元件、硅梁为二次谐振敏感元件的热激励硅微结构压力传感器的实际结构,分析了其工作机理和产生热特性的机制.给出了考虑热特性情况时的传感器的被测压力与输出频率的特性方程;给出了传感器稳定可靠工作的条件;给出了梁谐振子的几何结构参数和激励、拾振电阻几何参数选择与位置设置的原则. 相似文献
7.
本文采用电子束蒸镀技术制备了Fe/Mo金属多层膜,利用TEM等手段研究了Fe与Mo层厚度对薄膜微结构应力的影响.Fe与Mo层厚度相差较大而Fe单层膜厚薄到1.2 nm时,较薄的Fe在较厚的Mo层上外延生长.随着Mo厚度的变薄,Mo/Fe厚度比减少,Mo层没有足够的自由能约束Fe原子,Fe层形成稳定的bcc结构.当Fe外延生长在Mo层上时,晶格畸变导致铁钼层间产生很大的应力,使得薄膜出现均匀的细微裂纹.用胡克定律估算了其应力范围,约104MPa数量级. 相似文献
8.
9.
10.