聚乙二醇对FTO基底上电沉积?热氧化制备的ZnO薄膜光电化学性能的影响

通过先电沉积后热氧化的方法在氟掺杂Sn O2(FTO)基底上制备了多孔ZnO薄膜。研究了聚乙二醇(PEG-6000)质量浓度对ZnO薄膜的形貌、结构及可见光光电流的影响。结果表明,在恒定电流密度7.0 mA/cm~2沉积300 s的条件下,于含有0.4 mol/L Zn Cl2、5.0 mol/L NH_4Cl和0.4 mol/L H3BO3的镀液中添加10～200 mg/L的PEG-6000,有利于在FTO基底上得到结合良好的金属Zn沉积层,热氧化后转变为有基底Sn自发掺杂的多孔ZnO薄膜。其中PEG质量浓度为50 mg/L时制得的ZnO薄膜厚度最大、孔隙最多,表现出良好的光电化学性能。     

应力状态对J55油管钢钝化膜电性能的影响

油管钢在土壤环境中受到腐蚀后会在表面形成一层保护基体减缓腐蚀的钝化膜。本文讲述了采用电化学阻抗谱(EIS)和光电流技术研究J55油管钢在模拟土壤环境(高pH值)中,拉伸、压缩及弯曲应力状态下所形成钝化膜的电化学性能,以期为碳钢腐蚀与防护提供一定的理论参考。     

CH3NH3PbI3晶体的晶轴对其光电性能的影响

通过逆温结晶的方法制备了CH_3NH_3PbI_3单晶,用扫描电子显微镜观察晶体形貌、X射线粉末衍射仪测量晶体结构、拉曼光谱仪测量晶体光谱。此外,通过X射线单晶衍射仪确定了晶面方向,分别沿平行和垂直于晶体c轴方向对晶体进行切割,经打磨、抛光后在其对应的晶面上蒸镀电极进而制备出基于CH_3NH_3PbI_3单晶的光探测器。采用不同波长和偏振方向的激光照射光探测器的受光面后,测试了器件的光电特性。实验结果表明,当激光的电场分量E平行于晶体的晶轴时光探测器的光电流密度比电场分量E垂直于晶轴时(垂直样品)的光电流密度大两个数量级。通过计算得到,激光的电场分量E平行于晶体晶轴时,光探测器的光响应度(R)是垂直样品的58倍、光暗电流比(P)的10倍和外量子效率(EQE)的66倍。发现CH_3NH_3PbI_3单晶的晶轴对晶体的光电性能影响很大。     

势垒层对黑硅光电探测器性能影响的研究

讨论势垒层Si3N4的引入对黑硅光电探测器光电性能的影响。探测器采用金属一半导体一金属（MSM）器件结构在黑硅层和电极间增加一层势垒层以提高肖特基势垒,从而减低器件的暗电流。实验表明,在相同的光照情况下,有势垒层的探测器暗电流比无势垒层的探测器暗电流至少低1个数量级,且势垒层厚度增加30nm其暗电流降低约1个数量级,而...     

Study of photocurrent generation in InP nanowire-based p＋-i-n＋ photodetectors

We report on electrical and optical properties of p＋-i-n＋ photodetectors/solar cells based on square millimeter arrays of InP nanowires （NWs） grown on InP substrates. The study includes a sample series where the p＋-segment length was varied between 0 and 250 nm, as well as solar cells with 9.3% efficiency with similar design. The electrical data for all devices display clear rectifying behavior with an ideality factor between 1.8 and 2.5 at 300 K. From spectrally resolved photocurrent measurements, we conclude that the photocurrent generation process depends strongly on the p~-segment length. Without a p＋-segment, photogenerated carriers funneled from the substrate into the NWs contribute strongly to the photocurrent. Adding a p＋-segment decouples the substrate and shifts the depletion region, and collection of photogenerated carriers, to the NWs, in agreement with theoretical modeling. In optimized solar cells, clear spectral signatures of interband transitions in the zinc blende and wurtzite InP layers of the mixed-phase i-segments are observed. Complementary electroluminescence, transmission electron microscopy （TEM）, as well as measurements of the dependence of the photocurrent on angle of incidence and polarization, support our interpretations.     

黑硅晶片可产生更多电能

美国SiOnyx公司开发出一种新的硅材料。这种被称作黑硅的材料可吸收几乎全部太阳能光线，比普通硅片所产生的光电流高出数百倍，因而可用更少的硅材料制造光传感器，使器件更便宜、更小、更轻。     

韩科学家利用激光焊接太阳能电池大幅提高组件效率

染料敏化太阳能电池(dye-sensitized solar cell,DSSC)有电荷收集力强、高开路电压及填充率佳等优点,但是它们无法完全吸收可见光及近红外光,因此短路光电流密度比不上无机光伏材料。如何增加光电流成为提升DSSC组件的关键因素。     

纯Bi12SiO20晶体光激发截面的测量

本文用瞬态光电流方法测量了纯Bi     

GaN基MSM结构紫外探测器光响应特性

在求解一维电流连续性方程和传输方程的同时考虑表面态陷阱的作用,获得了GaN基MSM结构紫外探测器在稳态光照下的电流随电压变化的解析解,从而导出了其光响应特性主要参数,并解释了电流和响应度随偏压变化的原因和光增益现象.将该模型应用于具体器件,实验测得饱和临界偏压约6 V,稳态电流6×10-8A,响应率0.085 7 A/W,与理论计算较吻合.     

外光电效应中光电流的计算

根据金属中电子系统可假设为具有质量为ｍ的粒子组成的理想费密气体，其在热平衡时服从费密－狄喇克分布规律，导出单位强度单色米束照射金属时所感生的光电流。