激光辅助电化学放电加工微通道的特性

玻璃材料近年来被广泛应用于微电子机械系统(MEMS),对于玻璃材料的加工,电化学放电加工(ECDM)是一种被广泛运用的手段。针对目前的电化学放电加工存在热影响区和过切现象的问题,提出了一种激光辅助电化学放电加工玻璃的加工方法,阐述了其作用机理,设计了实验装置,并与传统电化学放电加工进行了微通道加工的对比实验。通过与传统电化学放电加工对比,发现激光辅助电化学放电的加工方式能明显减少放电加工过程中的热影响区和过切现象,故激光辅助有效改善了电化学放电在玻璃材料上加工微通道的质量和精度,在MEMS领域具有良好的应用前景。     

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《微纳电子技术》是中文核心期刊,被国内外多家知名数据库收录。栏目分为:技术论坛,器件与技术,材料与结构,MEMS与传感器,加工、测量与设备。主要内容包括:纳电子学、微系统与纳系统、纳电子器件与技术、纳米材料与结构、功能材料与新材料、纳米测试与显微技术、MEMS与传感器、微细加工技术与设备、纳米技术应用等领域国内外的最新进展,并兼顾微电子领域的最新研究成果。编辑部投稿邮箱:wndz@vip.sina.com,联系电话:0311-87091487,网址:www.bdtq.cnki.net。     

奥地利微电子推出集成了传感器的智能照明管理器

奥地利微电子公司近日推出革命性的AS721x自动日光采集管理器,这是业内首款集成且基于物联网连接的芯片级智能照明管理器。这款新型的集成了传感器的智能照明管理器解决方案为照明设备、照明引擎、备用灯制造商带来了低成本、物联网连接的集成控制方法。AS721x系列集成了由纳米光学过滤器构成的环境光传感器,帮助照明设备制造商应对日光控制等照明节能领域日益严苛的法规要求。将控制、连接性(如蓝牙)和高分辨传感器引入照明设备本身是更具成本效益的解决方案。     

多层圆片级堆叠THz硅微波导结构的制作

基于微电子机械系统(MEMS)工艺,提出一种多层圆片堆叠的THz硅微波导结构及其制作方法。为了验证该结构在制作THz无源器件中的优势,基于6层圆片堆叠的硅微波导结构,设计了一种中心频率365 GHz、带宽80 GHz的功率分配/合成结构,并对其进行了仿真。研究了制作该结构的工艺流程,攻克了工艺过程中的关键技术,包括硅深槽刻蚀技术和多层热压键合技术,并给出了工艺结果。最终实现了多层圆片堆叠功率分配/合成结构的工艺制作和测试。测试结果表明,尽管样品的插入损耗较仿真值增加3 dB左右,考虑到加工误差和夹具损耗等情况,样品主要技术指标与设计值较为一致。     

沁恒微电子潜心打造内嵌专业接口的RISC-V架构MCU

近日,苹果推出了M1处理器,相比关注具体指标,业内其实更关心M1推出后会引领产业往哪个方向发展,不少人的结论是RISC V会成为未来芯片发展的热点,因为RISC V有很多巧妙的方法可以提高性能。计算机界泰斗David Patterson大力支持RISC V技术,国内单片机界泰斗何立民教授也曾表示RISC V在人工智能领域会大有作为。     

高精度石英全息透镜的MEMS工艺制作

通过微电子机械技术(MEMS)在抛光的熔融石英基材表面制作了平面精度达到0.4μm的超大单片面积的全息透镜。采用了分辨率达到0.2μm的步进投影式拼接光刻,适合石英基材的专用等离子耦合刻蚀(ICP)干法刻蚀技术,特殊的物理清洗方法,以及相关的多项辅助工艺。透镜理想面形横截面曲线为分段抛物线,每一片由23个柱状结构单元周期横向排列构成,采用等深度不等宽度的4台阶结构拟合,单元宽度约为2.966mm。在4in(10.16cm)圆片上,获得了单片尺寸为68mm×68mm的方形透镜。采用接触式台阶仪,扫描电子显微镜(SEM),高倍光学显微镜等方法进行不同阶段检测。结果显示:台阶平面精度为0.4μm,垂直精度为30nm,有非常好的立墙陡直度和刻蚀均匀性。此工艺方案可实现小规模批量生产,成本适中,可以直接用于制作6in(15.24cm)以上同等级要求的石英透镜,经适当改进也可用于蓝宝石等基底材料的制作。     

测量仪器与现代微电子、计算机和软件技术的融合

现代有线和无线通信技术的发展给测试测量仪器提出了更高的要求。本文介绍了最新的材料、芯片封装、信号处理、计算机、软件、移动互联技术在现代测试测量仪器中的应用,以及这些技术给仪器的性能指标、分析功能、集成度、灵活性、用户界面等带来的提升,最后探讨了未来仪器的发展趋势。     

全球最小5合1传感器带来人机交互新体验

<正>人机交互技术正在触觉、视觉、听觉和非接触式手势识别等多元且互补的融合中不断发展。如何在智能手机、平板电脑、可穿戴式设备、家庭自动化及控制等领域提供高度集成化、功能强大的小型传感器,为用户提供直观、无缝的交互界面,使智能设备无需触碰操控也能识别用户动作并做出回应,是相当多传感器厂商孜孜以求的目标。     

一种双稳态电磁型射频MEMS开关的设计与测试

设计了一种低电压驱动的双稳态电磁型射频MEMS开关.与驱动电压高这几十伏的静电型射频MEMS开关相比,其驱动电压可低至几伏,因此应用时无需增加电荷泵等升压电路.开关可在磁场驱动下实现双稳态切换,稳态时无直流功率消耗.分析了工作磁场的分布特点,进行了结构设计仿真;并使用HFSS软件和粒子群算法进行了射频参数仿真、结构参数优化及主要结构参数显著性研究,得出了影响开关射频传输性能的主要结构参数;采用表面牺牲层工艺制作了原理样机并进行了射频性能参数的测试.结果表明,开关样机在DC～3 GHz工作频率区间内,插入损耗小于0.25 dB,隔离度大于40 dB.