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本文详细研究了预时效对Al-5.2Mg-0.45Cu-2.0Zn合金时效析出行为的影响。预时效不仅提高了合金的室温稳定性,避免了合金烤漆软化,同时提高了合金的烤漆时效响应速度。合金经T4处理后,再峰时效处理后的组织包括粗大的T-Mg32(AlZn)49相以及针状的S-Al2MgCu相。然而合金经T4P处理后,再峰时效处理的组织只含有细小而高密度的T-Mg32(AlZn)49相而不包括S-Al2MgCu相。自然时效后不稳定的原子团簇在180℃时效后会回溶到基体中, 从而抑制了合金的时效析出强化。而预时效后生成的稳定的原子团簇会成为180℃时效的形核点,显著提高了合金的时效响应速度。 相似文献
4.
有序结构的形成是决定NiCrAlFe精密电阻合金电学性能的关键因素。本文利用第一性原理赝势平面波方法,计算了合金处于无序固溶体结构和形成L12型有序结构时的结合能、态密度、晶格常数等参数,并利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对合金进行了结构表征,还测试了固溶态和时效态的电阻率。从结合能来看,该合金形成L12有序结构时比无序固溶体更加稳定;态密度以及部分态密度计算结果则表明,在L12有序结构中,Ni、Cr、Al、Fe会强烈成键而使得整个合金体系变得稳定;HRTEM分析结果证明固溶态合金经过和时效处理后出现了L12有序结构,而且该有序结构的晶格常数与计算值基本一致。对比无序固溶体与L12型有序结构费米能级处的态密度值发现,当形成L12有序结构时合金的导电能力较无序固溶体下降,电阻率升高,与实际测试结果吻合。 相似文献
6.
本文研究了时效前不同冷轧预变形量(ε=7%,14%,20%,27%)对1460合金沉淀强化过程的影响。当冷轧变形量增加至20%时,合金中出现位错墙(Dense Dislocation Wall)。位错为T1相提供了形核位置,使得合金中T1相的数量增加同时尺寸保持在100 nm 左右,缩短了时效峰值时间。27%冷轧变形+160 ℃/12 h时效能提高合金的强度,同时塑性较好,此时合金的抗拉强度和延伸率分别为590 MPa和8%。 相似文献
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8.
9.
利用透射电子显微镜, 通过构建位错环在不同晶带轴下的投影图结合位错环消光判据, 对室温注氢后Fe-9%Cr模型合金在400、500及550℃退火形成的1/2 〈111〉和〈100〉两种类型的位错环进行了表征. 实验结果表明, 室温注氢Fe-9%Cr合金中柏氏矢量为〈100〉型位错环的数量随着退火温度的升高而逐渐增加. 在400和500℃退火后, 〈100〉型位错环所占比例分别为16.48%、92.78%;当退火温度升高到550℃时, 位错环全部转变为〈100〉型位错环. Fe-9%Cr合金中位错环类型转变温度区间为400~500℃, 与纯铁相比, 添加Cr元素能够使位错环类型转变温度升高. 相似文献
10.