添加钇对 Pt-5Cu 合金组织结构和性能的影响

采用真空电弧熔炼方法制备了Pt-5Cu、Pt-4.9Cu-0.10Y和Pt-0.48Cu-0.20Y合金。利用X射线衍射仪(XRD)、金相显微镜、显微硬度仪及分光光度计等研究了Pt-Cu及Pt-Cu-Y合金的物相组成、显微组织结构、力学性能及反射率。结果表明，钇对Pt-Cu合金的相结构无明显影响，当钇的添加量为0.20%时，Pt-Cu合金的晶粒尺寸显著细化，晶粒的平均尺寸由约150 μm降至约80 μm；细晶强化使Pt-Cu合金的维氏硬度显著增加到165；在可见光波段内，Pt-Cu及Pt-Cu-Y合金的反射率无明显差别。     

稀土元素镱及其应用

1878年，瑞士化学家查尔斯（Jean Charles）和马利格纳克（G．de Marignac）在“铒”中发现了一种新的稀土元素，为了纪念钇矿石发现地——斯德哥尔摩附近那个名叫伊特比（Yteerby）的小村，把这个新元素命名为Ytterbium，元素符号为Yb。汉译名称为“镱”——是该元素的专用汉字。     

氢气纯化用钯钇合金箔材研究

研究钯钇合金的加工及热处理工艺,考察其微观组织结构、力学性能和工作压差对透氢速率的影响.结果表明,合金于600～700℃退火,塑性加工性能最好;PdY合金的透氢性能优于通用的PdAgAuNi合金,成为氢气纯化用新型材料.     

L—α-白氨酸与硝酸镱、销酸钇固体配合物的制备与表征

利用硝酸镱和硝酸钇在苯和无水乙醇中与白氨酸作用,制备了它们1:3型固体配合物。经元素分析、熔点测定和X—射线粉末衍射,说明它们是新化合物,组成为RE(Leu)_3(NO_3)_3·2H_2O(RE=Yb·Y,Leu—L—α—leucine);摩尔电导测定表明它们在水中为1:3型电解质;IR光谱说明稀土离子与内盐形式的白氨酸羧基配位;TG—DTG曲线表明配合物受热分解分两个阶段进行。     

掺杂氧化钇的ZnO电阻片电性能和微观结构特征

研究了掺杂氧化钇对D5ZnO电阻片的电位梯度、方波容量和压比(U5kA/U1mA)的影响,结果表明,随着氧化钇含量的增加,电位梯度持续增加,最高达到367V/mm。当氧化钇含量在0.3%～0.7%时,压比和方波容量性能最好,分别为1.65和246J/cm3。从微观分析结果,可以看出,上述电性能特征在微观层次上的产生根源是含钇晶间相的总量和分布的变化。通过能谱分析和X射线衍射分析,确定了含钇晶间相的成分范围:Y为10%～50%;Bi、Sb都为15%～25%,主晶相化学组成为Y1.5Sb0.5O3.5。     

钇掺杂对ZnO电阻片微观结构和电性能的影响

研究了在ZnO-Bi2O3-Sb2O3系ZnO电阻片中添加少量硼酸和掺杂0.2%～0.8%(摩尔分数)的氧化钇(Y2O3),其显微结构和电性能的变化情况。结果表明,随Y2O3掺杂量的增加,ZnO压敏电阻片的电位梯度从210V/mm提高到422.5V/mm;当掺杂量为0.6%(摩尔分数)时,电性能达到最佳,即残压比最小,为1.12;漏电流最小,为353.0μA。掺杂Y2O3使ZnO晶粒周围除了形成Zn7Sb2O12尖晶石外,还形成了具有细微颗粒的含钇相(Zn-Sb-Y-O)和含铋相(Bi-Sb-O),尖晶石相、含钇相和含铋相的同时存在更加有效地抑制了ZnO晶粒的长大。添加硼酸和增加含钇相在很大程度上改善了ZnO电阻片的电性能。     

掺钕氟化钇锂多晶料的合成与晶体生长

采用干法(稀土氧化物与无水HF气体高温反应)合成Nd∶LiYF4(Nd∶YLF)多晶料。通过X射线衍射仪对多晶料的物相结构进行表征,确定了多晶料合成最佳工艺参数。发现稀土氟化物原料中氧化物杂质的存在对生长晶体有很大影响,直接采用未经处理的氟化物原料生长晶体,会在晶体表面出现白色包裹物。因此,在HF气氛下,经1 200℃热处理才能去除残留在氟化物原料中的氧化物杂质,保证生长晶体的质量。实验确定了生长YLF晶体的最佳组分配比是LiF与YF3的摩尔比为53∶47。以最佳组分配比,采用提拉法生长了Nd∶YLF晶体。结果表明:以最佳组分配比生长的Nd∶YLF晶体具有高的纯度和光学性能;在808nm二极管激光器泵浦下,位于1 047和1 053nm处的发射峰(4 F3/2→4 I11/2)均有较强的荧光发射。