YAG:Ce~(3 )微粉的制备及光谱性能

本文以高分子网络凝胶法制备Y3Al6O12（YAG）：Ce3 微粉，并测试其光谱特性．与普通的共沉淀法合成的（YAG）：Ce3 相比，高分子网络凝胶法于比较低的温度下（900℃）获得YAG物相，合成的（YAG）：Ce3 微粉光谱谱峰存在明显的蓝移现象．     

TPA-PPV纳米粒子的制备和尺度效应

TPA—PPV是一种优秀的电致发光材料，具有很高的荧光量子产率。介绍了用再沉淀的方法制备粒子尺寸为20～100nm的TPA—PPV纳米粒子。研究发现，当纳米粒子的尺寸从100nm逐渐减小到20nm时，紫外一可见吸收光谱在400nm附近的吸收和荧光发射光谱在500nm附近的发光都向高能端移动，其光谱发生了蓝移。讨论了其光谱尺度效应的机理。研究结果表明其在新型纳米光电子器件中有着广阔的应用前景。     

低能氦离子注入引入的量子阱混杂带隙波长蓝移

提出了采用低能氦离子注入多量子阱(MQW)材料和合适的快速退火条件,实现了MQW带隙波长的蓝移.用这种材料制作了FP腔激光器,与未注入器件相比,实现了37nm的激射波长蓝移.     

多孔硅/八羟基喹啉铝复合体系的电致发光

采用阳极氧化法制备了多孔硅(PS)，通过真空沉积在纳米孔中组装了有机发光小分子八羟基喹啉铝(Alq3)，制作了有机／无机复合电致发光器件，并与单层的Alq3电致发光器件相比较，观察到复合体系的电致发光蓝移现象，这种蓝移现象与纳米孔对有机分子聚集程度的限制有关。     

Vapochromism of Hexaphenylsilole

The photoluminescence (PL) of the thin layer of hexaphenylsilole (HPS) on thin-layer chromatograph (TLC) or quartz plate is investigated. The PL of the HPS layer absorbed on the TLC plate can be turned “off” and “on” continuously and reversibly by solvent exposure and evaporation. On the other hand, the PL of the HPS film coated on the quartz plate becomes stronger with a blue-shift in its emission color after fumigation by solvent vapor. After solvent removal, the film does not return to its original blue-green emission. Analyses by SEM, TEM and XRD indicate that the transformation from amorphous to crystalline state is responsible for the vapor-induced stronger and bluer PL.     

金/银合金纳米颗粒的制备及光学吸收特性

以柠檬酸盐为还原剂,通过共还原氯金酸和硝酸银的混合溶液制备出Au／Ag合金纳米颗粒,用透射电子显微镜（TEM）对颗粒的形貌和尺寸进行了表征。300-800nm范围的吸收光谱研究发现,Au／Ag合金纳米颗粒具有单峰等离子体吸收特征,且随着反应液中氯化金和硝酸银的摩尔比的减少,吸收峰将产生蓝移。实验结果表明,Au-Ag合金纳米颗粒的光学吸收特性具有组分可裁剪性,使其在纳米尺度的光学领域具有潜在的应用价值。     

多变量离子注入型量子阱混杂效应

为实现InP基单片集成光电子器件和系统,对InGaAsP/InGaAsP分别限制异质结多量子阱激光器结构展开量子阱混杂(QWI)技术研究。在不同能量P离子注入、不同快速热退火(RTA)条件以及循环退火下,研究了有源区量子阱混杂技术,实验结果采用光致发光(PL)谱进行表征。实验结果表明:在不同变量下皆可获得量子阱混杂效果,其中退火温度影响最为显著,且循环退火可进一步提高量子阱混杂效果;PL谱蓝移随着退火温度、退火时间和注入能量的增大而增大,退火温度对蓝移的影响最大,在注入剂量为1×10^14 ion/cm2,注入能量为600keV,750℃二次退火150s时获得最大蓝移量116nm。研究结果为未来基于QWI技术设计和制备单片集成光电子器件和系统奠定了基础。     

纳米Y2O3:Eu3+的荧光特性

本文采用均相沉淀法制备纳米Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ＾３＋，并控制反应条件，得到不同粒径的生粉，与非纳米粉体相比。纳米Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ＾３＋的Ｘ－ｒａｙ衍射粉变宽，２θ角增大，同时发射光谱存在蓝移现现象，谱峰波长及强度与粒径有密切联系。     

掺硅InGaN和掺硅GaN的光学性质的研究

采用光致发光方法研究了采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长的掺硅InGaN和掺硅CaN材料的光学性质。在室温下．InGaN材料带边峰位置为437．0nm，半高宽为14．3nm；GaN材料带边峰位置为363．4nm．半高宽为9．5nm。进行变温测量发现．随温度的升高．两种材料的发光强度降低，半高宽增大；GaN材料的带边峰值能量位置出现红移现象．与Varshini公式符合较好；InGaN材料的带边峰值能量位置则出现红移-蓝移-红移现象．这与InGaN材料的局域态、热效应以及由于电子-空穴对的形成而造成的无序程度增加有关．对大于140K的峰值能量位置的红移用Varshini公式拟合．符合较好。     

电压对有机蓝光器件发光光谱的影响

介绍了结构为ITO/40 nm 4,4′,4″-tris[N,-(3-methylphenyl)-N-phenylamino]tripheny- lamine(m-MTDATA)/5 nm N,N′-bis-(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′- diamine(NPB)/x nm 4,4-bis(2,2-diphenyl vinyl)-1,1-biphenyl(DPVBi)/y nm 6,11,12,- tetraphenylnaphthacene(Rubrene)/40 nm tris(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq)/0.5 nm LiF/Al的器件,其发光光谱的半峰宽在电压由2 V变为12 V时,由140 nm变为70 nm,器件发光的峰值波长由456 nm变为444nm的规律。半峰宽变窄是由于随着电压的升高,被Ru- brene俘获的电子获得了足够的能量,越过Rubrene层,在DPVBi中与注入的空穴形成激子而复合发光的概率的逐步增加所造成的。峰值波长蓝移是由于激子的形成区域随着电压的增加逐渐由DPVBi层移向NPB层造成的。器件峰值波长的这种变化对器件的色度改善有着很大的影响。