基于沟槽型功率器件的三层掩膜板工艺设计

针对低压功率器件传统工艺流程进行创新和优化,以原有的6层掩膜板为基础,对掩膜板层数进行削减,用接触孔掩膜板完成原有的保护环掩膜板,工作区掩膜板及N+区掩膜板的作用。器件的电性参数目标,通过设计具体工艺参数,并对其进行仿真,以验证工艺可行性。所用的参数与设计方案适用于所有低压功率器件生产制造。     

掩膜电解微坑阵列对钛合金表面疏水性能的影响

为了提高钛合金表面的疏水性能,采用润湿理论模型与多物理场耦合仿真相结合的方法,建立接触角与掩膜电解加工工艺参数之间的直接映射关系,揭示微坑阵列掩膜电解加工对表面疏水性能的作用。建立接触角与微坑阵列几何尺寸间的表面疏水理论模型,对掩膜电解加工进行多物理场耦合仿真;理论模型与仿真结果相结合,获得了接触角与掩膜电解加工工艺参数之间的直接映射关系。此外,以表面接触角为因变量,以电解质质量分数、掩膜尺寸和电解电压为自变量,进行正交试验仿真和计算,获得了最佳工艺参数组合并进行试验验证。与仿真计算相比,试验测量得到的微坑阵列直径、间距、深度、表面接触角误差分别为2.49%、6.87%、7.40%、6.01%,从而表明该方法在未经低表面能材料修饰的情况下,成功制备接触角约为141°的微坑阵列疏水表面。     

高性能整数倍稀疏网络行为识别研究

目的 行为识别在人体交互、行为分析和监控等实际场景中具有广泛的应用。大部分基于骨架的行为识别方法利用空间和时间两个维度的信息才能获得好的效果。GCN (graph convolutional network)能够将空间和时间信息有效地结合起来,然而基于GCN的方法具有较高的计算复杂度,结合注意力模块和多流融合策略使整个训练过程具有更低的效率。目前大多数研究都专注于算法的性能,如何在保证精度的基础上减少算法的计算量是行为识别需要解决的关键性问题。对此,本文在轻量级Shift-GCN (shift graph convolutional network)的基础上,提出了整数倍稀疏网络IntSparse-GCN (integer sparse graph convolutional network)。方法 首先提出奇数列向上移动,偶数列向下移动,并将移出部分用0替代新的稀疏移位操作,并在此基础上,提出将网络每层的输入输出设置成关节点的整数倍,即整数倍稀疏网络IntSparse-GCN。然后对Shift-GCN中的mask掩膜函数进行研究分析,通过自动化遍历方式得到精度最高的优化参数。结果 消融实验表明,每次算法改进都能提高算法整体性能。在NTU RGB+D数据集的子集X-sub和X-view上,4流IntSparse-GCN+M-Sparse的Top-1精度分别为90.72%和96.57%。在Northwestern-UCLA数据集上,4流IntSparse-GCN+M-Sparse的Top-1精度达到96.77%,较原模型提高2.17%。相比代表性的其他算法,在不同数据集及4个流上的准确率均有提升,尤其在Northwestern-UCLA数据集上提升非常明显。结论 本文针对shift稀疏特征提出整数倍IntSparse-GCN网络,对Shift-GCN中的mask掩膜函数进行研究分析,并设计自动化遍历方式得到精度最高的优化参数,不但提高了精度,也为进一步的剪枝及量化提供了依据。     

基于掩膜预处理的稀疏表示和压缩感知图像重建

近年来兴起的压缩感知（compressive sensing, or compressed sampling,CS）理论对信号稀疏性的要求,使信号的稀疏表示得到了前所未有的关注。考虑到现实信号往往是非稀疏性的,而压缩感知理论要求被测信号必须满足稀疏性或在某个规范正交基下满足稀疏性,因此信号的稀疏性表示变得十分重要。主要研究探索了二值掩膜预处理的稀疏表示方法。结合二值掩膜的算法去除人眼不敏感的DCT系数,在不影响图像主观质量的前提下提高测量系数的稀疏度。实验表明提出的预处理方法减少了CS的重建时间,并且提高了图像的重建质量。     

国际半导体技术发展路线图(ITRS)2012版综述(3)

正3.10光刻将光刻技术向更小尺寸发展一直都很困难,今年也不例外。半导体行业需要在2012年年底之前为22 nm半节距DRAM和16 nm半节距闪存选择一种光刻方法,但目前为止仍没有明确的选择。氟化氩(ArF)浸入光刻技术并不能在40 nm及更小的半节距尺度有多大发展,而且使用二次图形的氟化氩浸入技术也不能满足这些节距的要求。下一步的发展可能要依靠三次甚至四次曝光,EUV光刻,或者其     

太阳电池掩膜窗口宽度与电极宽度比对光生电流性能的影响

提出了一个有效工艺设计参数——选择性扩散掩膜窗口宽度与电极宽度的比值T。研究结果表明,对不同的衬底浓度和掺杂浓度均存在一个最佳T值可以获得最大短路电流。选择性扩散浓度为1×1018~1×10-3cm-3时,其最佳T值为1;选择性扩散浓度为1×10-3cm-3时,最佳T值小于0.5。电极宽度的增加减小了光生电流,但对最佳T值影响较小。选择性掺杂浓度的增加会使得最佳T值减小。     

原子纳米光刻中双层光学掩膜的实现方法研究

利用原子光刻的方法制备纳米结构的光栅已经成为了一种较为成熟的工艺。通过原子与激光驻波场的相互作用,利用原子自生在势能场中的偶极力对原子的密度进行调制,从而得到所需要的光栅结构。利用此种工艺所制备的光栅相对于传统工艺来说具有精度高,光栅常数直接溯源于原子能级。希望能够通过对激光的改良来提升原子沉积结果。通过双层驻波场来提高原子沉积质量已经被多次提到。实验中利用几何光学的方法实现了所需要的新型激光驻波场。并对其汇聚,相干等特性进行了研究,取得了较为满意的结果。为利用双层驻波场来沉积原子打下了基础。     

新型TFT-LCD黑矩阵的细线化研究

介绍了新型TFT-LCD黑矩阵细线化研究。在原有工艺设备的基础上,突破设备局限和工艺瓶颈,通过引入相掩膜技术和背面曝光设备,达到进一步减小黑矩阵线宽的效果。实验测试结果显示:在普通掩膜板设计上应用相位移掩膜板技术,降低透光区边缘衍射和散射现象,使曝光后黑矩阵线宽降低1.0~1.5μm。在原有工艺基础上添加背面曝光工艺,使黑矩阵材料在显影后进行背面曝光预固化,改善黑矩阵图形形貌,进一步减小黑矩阵线宽达到0.3~0.5μm。通过新工艺和新设备的引入和应用,黑矩阵线宽整体降低1.5~2.0μm,达到5.0~5.5μm,可以满足目前高PPI(单位面积像素个数)产品对透过率和对比度要求。