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1.
深亚微米标准单元库的设计与开发 总被引:2,自引:0,他引:2
随着深亚微米工艺技术的发展,0.18μm COMS工艺巳成为国际主流的集成电路工艺标准。国内的深亚微米工艺也日趋完善,我们首家针对中芯国际0.18μm工艺,成功设计开发了0.18μm标准单元库。本文简要介绍了0.18μm标准单元库的设计与开发。 相似文献
2.
《电子工业专用设备》2003,32(6):43-43
业界领先的系统级芯片智能模块供应商芯原微电子,10月10日正式发布针对中芯国际集成电路制造有限公司(中芯国际)0.15μm一般性和低压CMOS工艺的标准设计平台。该标准平台包括标准单元库(standard cell library),输入/输出单元库(I/O cell library)和单/双口静态存储器(single port and dualport SRAM)的存储器编译器, 相似文献
3.
在先进工艺下随着晶体管尺寸的减小,导线寄生参数对于芯片性能的影响占比愈加增大。因此,在标准单元的性能评估中需考虑导线参数的影响以提高性能参数的准确性,以提高芯片设计的精准性。同时,在实际的芯片中,不同单元间的连接导线网络的多扇出网状结构和多层金属连接结构使导线网络的结构复杂多变。目前在使用传统的电阻-电容(RC)网络模型时无法对导线的参数变化进行精准仿真。另外,实际芯片环境下的标准单元性能的仿真和制造测试需要在布局布线完成及整体流片完成后才能进行,故无法快速及时的对标准单元设计进行反馈改进。本文提出一种通过金属线单元拼接组合方式模拟真实布线的方案,可以简单方便准确的模拟实际的导线网络环境,有利于对于标准单元在实际的导线连接环境下的快速仿真和制造测试。通过该方案可以在前期对于实际使用环境中的标准单元的频率功耗进行评估,进而通过更加精准的标准单元数据提升芯片设计准确性。 相似文献
4.
文章介绍了一个读出电路的数字控制模块.该模块集成了众多的控制功能,包括积分时间的调控,对面阵中指定窗口的读出,并能够支持快照读出模式和滚动读出模式之间的选择.文章中详细介绍了实现窗口功能和滚动功能的算法;电路的整体结构及端口时序,并给出了整个系统的仿真结果;最后采用上海集成电路设计中心提供的0.6μm双硅双铝标准单元库对本设计进行了电路综合,并对本设计的版图规划和实现进行了简略的说明,验证了将该设计向大规模读出电路上集成的可行性. 相似文献
5.
6.
7.
本文首先扼要介绍了SDH设备主要特点,接着讨论了SDH设备标准参考模型单元功能块组成及外部光接口标准,最后简要说明了SDH设备的物理实现方法。 相似文献
8.
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10.
反向窄沟道效应(INWE)是纳米级工艺下较为明显的版图效应,它使MOS管阈值电压Vth随着OD(扩散区)宽度的下降而下降,由此使得饱和电流Idsat提高并最终影响器件的速度.重点阐述了产生INWE的原因,同时将INWE考虑在标准单元库的设计当中.以TSMC N40LP 12T标准单元库为基础,根据INWE现象重新对电路结构(Circuit Structure)和版图(Layout)进行设计,最终能够在原有版图面积下整体性能提升5%以上,整体功耗升高控制在2%以内,从而得到有着更好PPA(Power Performance Area)指标的标准单元库器件. 相似文献