基于APD的2.5D封装中介层自动化设计

由于高带宽存储器(High Bandwidth Memory,HBM)的高带宽特性,在2.5D封装中介层(Interposer)的版图设计过程中存在大量HBM接口的连线需要手动完成。介绍了如何使用SKILL语言在Allegro封装设计工具(Allegro Package Design,APD)中实现HBM接口的自动布线,将原来的手动布线时间从2周缩短到10 min,大大压缩设计周期。     

星载同步NANDFlash的研究与应用

针对新型星载存储系统的超高速读写需求,基于XILINX FPGA平台对Micron公司的同步NANDFlash存储芯片的应用进行了研究,分析了该NANDFlash芯片硬件设计的信号完整性,对NANDFlash操作时序进行了分析,并设计了一种支持ONFI2. 2标准源同步模式的NANDFlash控制器,通过Modelsim对所设计的控制器进行了仿真并在存储板上进行了验证。仿真与测试结果表明,设计的控制器工作稳定,其单芯片读写速率可达1 598/1 340 Mbps,能够满足新一代星载高速存储系统的需求。     

基于2007-2013年COSMIC掩星数据的电离层振幅闪烁研究

利用2007-2013年的COSMIC掩星数据，分析了E区与F区电离层闪烁的变化特征.发现用闪烁出现频次、闪烁发生率以及闪烁强度来表征的电离层闪烁出现规律比较相似.E区电离层闪烁在夏季半球的中纬地区最强，其次是春秋季的低纬地区和冬季半球.就经度分布来说，春秋季E区电离层闪烁呈四波结构.对F区电离层闪烁来说:南美-大西洋扇区在12月至点最为显著；非洲和太平洋扇区在6月至点最为显著；大西洋扇区在春秋分季最为显著.极区也出现中等强度的闪烁，尤其在南半球的90°E~180°E扇区较为显著.高纬E区电离层闪烁强度随太阳活动的增强而增强，而低纬和南半球的中纬E区闪烁随太阳活动的增强而减弱.高纬和低纬F区闪烁随太阳活动的增强而增强，而中纬F区电离层闪烁对太阳活动无显著依赖关系.对于赤道区来说，北半球60°W~60°E经度区闪烁强度随太阳活动的变化最为显著，其次是南半球60°E~210°E附近；而对于高纬地区来说，F区闪烁强度随太阳活动的变化最为显著的区域在南半球60°E~210°E附近.     

惠普ZBook工作站超极本再推新品

惠普ZBook 14G2和惠普ZBook15u G2移动工作站惠普ZBook 14 G2和ZBook15u G2工作站分别配置14英寸和15.6英寸的高性能显示屏。配置Microsoft-Windows8.1操作系统、第五代Intel Core处理器和专业级AMDFire Pro^tm3D显卡,并可以根据用户需要进行定制。惠普ZBook 14 G2工作站可选配多点触控显示屏或十点触控全高清显示屏。这两款ZBook移动工作站均可提供高达16GB的内存（2）和高达1.25TB的硬盘（3）,以及惠普Z Turbo Drive（PCle连接固态存储器）,     

数据存储器面盖注射模设计

数据存储器面盖存在螺纹柱、内壁侧孔、外壁斜面及斜孔等特征,为保证其成型精度,设计了1副1模1腔模具,模具分两次打开,使用潜伏浇口进行浇注。塑件斜面与斜孔采用斜抽芯机构脱模,内壁侧孔由2个斜推机构实现抽芯脱模,螺纹柱由8根推管推出脱模,通过这些设计使模具结构得到简化各机构动作可靠,有较好的参考价值。