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| 太赫兹QCL技术研究进展 | |
| 作者姓名： | 沈昌乐 王雪敏 黎维华 阎大伟 赵妍 罗跃川 彭丽萍 吴卫东 唐永建 |
| 作者单位： | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心等离子体物理重点实验室;中国工程物理研究院太赫兹研究中心,绵阳621900 |
| 基金项目： | 国家科技部重大仪器设备开发专项 |
| 摘 要： | 综述了太赫兹QCL(THzQCL)有源区结构设计与制备、波导结构设计和频率控制3方面的基本原理及研究进展.THzQCL有源区薄膜厚度、组分和掺杂浓度的精确控制是材料制备过程的关键.通过提高注入电流和器件温度的稳定性可以有效减小THzQCL线宽和提高频率稳定性.随着器件功率和频率特性的提升,THz QCL将在通讯、成像和谱分析等技术领域获得广泛的应用. |
| 关 键 词： | 太赫兹 QCL 有源区 波导 频率稳定性 |
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