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基于遗传算法的BSIM SOI模型参数提取
引用本文:李瑞贞,韩郑生.基于遗传算法的BSIM SOI模型参数提取[J].半导体学报,2005,26(8):1676-1680.
作者姓名:李瑞贞  韩郑生
作者单位:中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029
摘    要:提出了一种提取BSIM SOI模型参数的新方法,该方法基于遗传算法和局部优化法的结合,同时具有全局优化和局部优化的优点,提取的参数物理意义明确,并且容易得到全局最优解.该方法计算简单,不需要对模型进行深入了解和丰富的参数提取经验,易于推广使用.对用该方法得到的SOI模型进行了模拟,并将模拟结果与1.2μm CMOS/SOI测试结果进行对比,二者吻合很好,SOI器件特有的kink效应也得到了很好的拟合.

关 键 词:遗传算法  SOI  参数提取
文章编号:0253-4177(2005)08-1676-05
修稿时间:2004年12月4日

Model Parameters Extraction of a BSIM SOI Model Based on the Genetic Algorithm
Li Ruizhen,Han Zhengsheng.Model Parameters Extraction of a BSIM SOI Model Based on the Genetic Algorithm[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(8):1676-1680.
Authors:Li Ruizhen  Han Zhengsheng
Abstract:
Keywords:genetic algorithm  SOI  parameter extraction  
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