| 二氧化锆栅介质薄膜光学及电学特性研究 |
| |
| 引用本文： | 马春雨,李智,张庆瑜.二氧化锆栅介质薄膜光学及电学特性研究[J].功能材料,2004,35(4):491-494. |
| |
| 作者姓名： | 马春雨 李智 张庆瑜 |
| |
| 作者单位： | 大连理工大学,三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;大连大学,机械工程系,辽宁,大连,116622 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(50240420656) |
| |
| 摘 要： | 采用反应RF磁控溅射法在氧气和氩气的混合气氛中制备了具有较高介电常数、较宽光学禁带间隙的ZrO2薄膜。利用变角度光谱椭圆偏振仪研究了不同O2/Ar流量比下制备所得薄膜的厚度、复折射率、复介电常数和吸收系数,估算了薄膜的光学禁带间隙,并测试分析了在不同O2/Ar流量比下溅射沉积的Al/ZrO2/SiO2/n型Si叠层结构的C V、I V特性曲线。通过对O2/Ar流量比分别为1/9、1/4、4/1、1/0工艺条件下溅射沉积ZrO2薄膜的α2与光子能量关系图的拟合,确定了其光学禁带间隙Eg分别为6.27、5.84、6.03、5.92eV,在O2/Ar流量比为1/9、1/4、1/0工艺条件下溅射沉积ZrO2薄膜,其ZrO2/SiO2叠层的有效介电常数keff计算结果分别为14.6、19.6和9.3,漏电流较低(<5.0×10-5A/cm2),其击穿电场强度分别为5.6、6.3、9MV/cm。
|
| 关 键 词： | 光谱椭圆偏振仪 介电常数 ZrO2薄膜 光学禁带间隙 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)04-0491-04 |
| 修稿时间： | 2003年9月15日 |
Optical and electric properties of ZrO2 gate dielectric films |
| |
| MA Chun-yu,LI Zhi,ZHANG Qing-yu.Optical and electric properties of ZrO2 gate dielectric films[J].Journal of Functional Materials,2004,35(4):491-494. |
| |
| Authors: | MA Chun-yu LI Zhi ZHANG Qing-yu |
| |
| Affiliation: | MA Chun-yu~1,LI Zhi~2,ZHANG Qing-yu~1 |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | spectroscopic ellipsometery dielectric constant zirconium oxide films optical band gap |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
