| 铁电存储器和IC卡 |
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| 引用本文： | 罗维根 丁爱丽. 铁电存储器和IC卡[J]. 压电与声光, 1999, 21(1): 22-27 |
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| 作者姓名： | 罗维根 丁爱丽 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
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| 基金项目： | 国家高技术新材料计划资助 |
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| 摘 要： | 铁电薄膜与半导体集成产生了新一代非易失存储器,与传统的半导体非易失存储器比较具有突出的优点,是新一代ＩＣ卡的理想存储芯片。
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| 关 键 词： | 铁电薄膜 存储器 IC卡 |
Ferroelectric Memories and IC Card |
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| Luo Weigen Ding Aili. Ferroelectric Memories and IC Card[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 1999, 21(1): 22-27 |
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| Authors: | Luo Weigen Ding Aili |
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| Abstract: | Integration of ferroelectric thin film and semiconductor creates a new generation of non volatile memories. The ferroelectric non volatile memories have some advantages over the classical semiconductor memorizers, and they are the ideal memory chip for IC card. |
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| Keywords: | ferroelectric film memory IC card |
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