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| SiZ710DT:功率MOSFET | |
| 引用本文： | 江兴.SiZ710DT:功率MOSFET[J].半导体信息,2011(1). |
| 作者姓名： | 江兴 |
| 摘 要： | Vishay推出采用PowerPAIR 6 mm×3.7 mm封装和TrenchFET GenⅢ技术的非对称双通道TrenchFET功率MOSFET——SiZ710DT,新器件比其前一代器件的导通电阻减小43%,同时具有更高的最大电流并提高效率。SiZ710DT在一个小尺寸封装中整合了低边和高边MOSFET,导通电阻低。SiZ710DT的低边Channel 2 MOSFET利用了非对称结构在优化空间上的 |
| 关 键 词： | 封装 功率 导通电阻 最大电流 |
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