| 聚合物薄膜晶体管的制备及性能 |
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| 引用本文： | 刘玉荣,吴丽明,虞佳乐,王智欣,刘超,李堂艳.聚合物薄膜晶体管的制备及性能[J].半导体光电,2009,30(1):16-20. |
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| 作者姓名： | 刘玉荣 吴丽明 虞佳乐 王智欣 刘超 李堂艳 |
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| 作者单位： | 华南理工大学电子与信息学院,广州,510640;华南理工大学电子与信息学院,广州510640;湄洲湾职业技术学院,福建莆田351254 |
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| 基金项目： | 华南理工大学学生研究计划 |
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| 摘 要： | 以硅材料衬底作栅电极,在衬底上依次制备二氧化硅栅介质层、聚合物MEH-PPV薄膜半导体层和金源、漏电极,成功地得到了聚合物薄膜晶体管.器件的制备和测试都是在空气环境中完成.该薄膜晶体管呈现出较好的场效应晶体管饱和特性,器件的载流子迁移率为5.0×10-5 cm2/(V·s),开关电流比大于2×103.通过在氮气氛下对聚合物薄膜进行退火处理以及聚合物薄膜沉膜前对二氧化硅表面修饰可以适当地提高器件的载流子迁移率.
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| 关 键 词： | 聚合物薄膜晶体管 迁移率 开关电流比 退火处理 |
Fabrication and Performance of Polymer Thin-film Transistors |
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| LIU Yu-rong,WU Li-ming,YU Jia-le,WANG Zhi-xin,LIU Chao,LI Tang-yan.Fabrication and Performance of Polymer Thin-film Transistors[J].Semiconductor Optoelectronics,2009,30(1):16-20. |
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| Authors: | LIU Yu-rong WU Li-ming YU Jia-le WANG Zhi-xin LIU Chao LI Tang-yan |
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