| 正弦平方势与一维掺杂超晶格的能带结构 |
| |
| 引用本文： | 吴燕玲,罗晓华,邵明珠,罗诗裕.正弦平方势与一维掺杂超晶格的能带结构[J].半导体光电,2009,30(1):84-86. |
| |
| 作者姓名： | 吴燕玲 罗晓华 邵明珠 罗诗裕 |
| |
| 作者单位： | 东莞理工学院城市学院,广东东莞,523106;重庆大学电气工程学院,重庆,400044;东莞理工学院电子工程系,广东东莞,523106 |
| |
| 摘 要： | 引入正弦平方势,在量子力学的框架内,把电子在掺杂超晶格中运动的Schrodinger方程化为Mathieu方程,根据Bloch定理讨论了系统能量分布,并用摄动法求解了方程的低阶不稳定区及其禁带宽度,系统自动呈现出了能带结构,再现了带电粒子同掺杂超晶格相互作用的周期性特征.同时,由于不稳定区的宽度与粒子质量、势阱宽度和深度有关,只需适当调节这些参数,就可以调节带隙宽度,从而改变材料的光电性质.
|
| 关 键 词： | 掺杂超晶格 能带结构 正弦平方势 摄动法 |
The Sine-squared Potential and the Band Constraction for 1-dimension Doping Superlattice |
| |
| WU Yan-ling,LUO Xiao-hua,SHAO Ming-zhu,LUO Shi-yu.The Sine-squared Potential and the Band Constraction for 1-dimension Doping Superlattice[J].Semiconductor Optoelectronics,2009,30(1):84-86. |
| |
| Authors: | WU Yan-ling LUO Xiao-hua SHAO Ming-zhu LUO Shi-yu |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
