| HIT太阳电池的单晶硅表面腐蚀工艺的研究 |
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| 引用本文： | 曾祥斌,宋志成,宋佩珂,王慧娟.HIT太阳电池的单晶硅表面腐蚀工艺的研究[J].半导体光电,2009,30(3):392-395. |
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| 作者姓名： | 曾祥斌 宋志成 宋佩珂 王慧娟 |
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| 作者单位： | 华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074;华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074;华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074;华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 对用于HIT太阳电池的单晶硅要求有良好的界面特性,而且要求单晶硅衬底的厚度比较薄.采用各向异性腐蚀的方法制得了具有绒面结构的单晶硅衬底.腐蚀时间为40 min时,能够得到表面反射率最低的界面,平均反射率为10.9%,同时也具有规则的金字塔结构,且厚度满足制作HIT太阳电池的要求,在250 μm左右.还研究了用各向同性腐蚀的方法来减薄硅片,具有较高的腐蚀速率.
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| 关 键 词： | HIT 各向异性腐蚀 绒面结构 |
Monocrystalline Silicon Surface Etching Process for HIT Solar Cells |
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| ZENG Xiang-bin,SONG Zhi-cheng,SONG Pei-ke,WANG Hui-juan.Monocrystalline Silicon Surface Etching Process for HIT Solar Cells[J].Semiconductor Optoelectronics,2009,30(3):392-395. |
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| Authors: | ZENG Xiang-bin SONG Zhi-cheng SONG Pei-ke WANG Hui-juan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HIT |
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