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| 980nm高功率列阵半导体激光器 | |
| 引用本文： | 曲轶,高欣,薄报学,张兴德,石家纬.980nm高功率列阵半导体激光器[J].光电子技术与信息,2001,14(6):28-30. |
| 作者姓名： | 曲轶 高欣 薄报学 张兴德 石家纬 |
| 作者单位： | 1. 长春光学精密机械学院, 2. 吉林大学电子工程系, |
| 基金项目： | 吉林省科技发展计划，， |
| 摘 要： | 分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱激光器材料。利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续（100Hz，100μs）输出功率达到80W（室温），峰值波长为978－981nm。 |
| 关 键 词： | 高功率列阵 半导体激光器 分子束外延 |
| 修稿时间： | 2001年7月4日 |
980nm High Power Array Semiconductor Lasers |
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