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磁控溅射制备VO_2薄膜及其红外相变特性
引用本文:徐凯,路远,凌永顺,乔亚. 磁控溅射制备VO_2薄膜及其红外相变特性[J]. 材料科学与工程学报, 2015, 33(3): 372-376
作者姓名:徐凯  路远  凌永顺  乔亚
作者单位:电子工程学院,安徽合肥230037;红外与低温等离子体安徽省重点实验室,安徽合肥230037
基金项目:脉冲功率激光技术国家重点实验室主任基金
摘    要:采用直流磁控溅射法与氧化法热处理相结合的工艺,在Si基底上制备VO2薄膜,通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、X射线电子能谱(XPS)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)透射率测试,分析了VO2薄膜截面结构、晶相成分、成分价态及红外透射率相变特性。实验分析表明,采用直流磁控溅射与氧化热处理相结合的方法,可获得主要成分为具有明显择优取向单斜金红石结构VO2(011)晶体的氧化钒薄膜,其红外透射率具有明显相变特性,相变中心温度为57.5℃,3~5μm、8~12μm波段的红外透射率对比值达到99.5%,适合应用于红外探测器的激光防护研究。

关 键 词:二氧化钒  直流磁控溅射  氧化热处理  红外相变特性

Infrared Phase Transition Properties of VO2 Thin Films by Magnetron Sputtered Method
XU Kai,LU Yuan,LING Yong-shun,QIAO Ya. Infrared Phase Transition Properties of VO2 Thin Films by Magnetron Sputtered Method[J]. Journal of Materials Science and Engineering, 2015, 33(3): 372-376
Authors:XU Kai  LU Yuan  LING Yong-shun  QIAO Ya
Abstract:
Keywords:vanadium oxide  DC magnetron sputtering  oxidational annealing  infrared optical properties
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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