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| FinFET刻蚀中刻蚀选择比及离子损伤的控制与优化 | |
| 引用本文： | 李国荣,张洁,赵馗,耿振华,曹思盛,刘志强,刘身健,张兴.FinFET刻蚀中刻蚀选择比及离子损伤的控制与优化[J].半导体技术,2019,44(9):691-695. |
| 作者姓名： | 李国荣 张洁 赵馗 耿振华 曹思盛 刘志强 刘身健 张兴 |
| 作者单位： | 北京大学软件与微电子学院,北京 102600;中微半导体设备(上海)股份有限公司,上海 201201;中微半导体设备(上海)股份有限公司,上海,201201;北京大学软件与微电子学院,北京,102600 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | 等离子体刻蚀 鳍型场效应晶体管(FinFET) 偏置射频频率 离子能量分布(IED) 刻蚀选择比 离子损伤 |
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