| 在SiO_2中掺Al对Au/纳米(SiO_2/Si/SiO_2)/p-Si结构电致发光的影响 |
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| 引用本文： | 王孙涛,陈源,张伯蕊,乔永萍,秦国刚,马振昌,宗婉华.在SiO_2中掺Al对Au/纳米(SiO_2/Si/SiO_2)/p-Si结构电致发光的影响[J].半导体学报,2001,22(2):161-165. |
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| 作者姓名： | 王孙涛 陈源 张伯蕊 乔永萍 秦国刚 马振昌 宗婉华 |
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| 作者单位： | 北京大学物理系!北京100871(王孙涛，陈源，张伯蕊，乔永萍，秦国刚)，信息产业部电子第十三研究所GaAs集成电路国家实验室!石家庄050051(马振昌，宗婉华) |
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| 摘 要： | 利用射频磁控溅射方法 ,制成纳米 Si O2 层厚度一定而纳米 Si层厚度不同的纳米 (Si O2 / Si/ Si O2 ) / p- Si结构和纳米 (Si O2 ∶ Al/ Si/ Si O2 ∶ Al) / p- Si结构 ,用磁控溅射制备纳米 Si O2 ∶ Al时所用的 Si O2 / Al复合靶中的 Al的面积百分比为 1% .上述两种结构中 Si层厚度均为 1— 3nm ,间隔为 0 .2 nm .为了对比研究 ,还制备了 Si层厚度为零的样品 .这两种结构在 90 0℃氮气下退火 30 m in,正面蒸半透明 Au膜 ,背面蒸 Al作欧姆接触后 ,都在正向偏置下观察到电致发光 (EL ) .在一定的正向偏置下 ,EL强度和峰位以及电流都随 Si层厚度的增加而
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| 关 键 词： | 电致发光 发光中心 纳米硅 |
Effects of Doping Al into SiO2 on Electroluminescence from Au/Nanometer (SiO2/Si/ SiO2)/p-Si Structure |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | electoluminescence luminescence center nanometer Si |
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