| Bi4Ti3O12层状铁电薄膜的结构与性能研究 |
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| 引用本文： | 王小平,朱俊,罗文博,张鹰,李言荣.Bi4Ti3O12层状铁电薄膜的结构与性能研究[J].功能材料,2007,38(5):753-755. |
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| 作者姓名： | 王小平 朱俊 罗文博 张鹰 李言荣 |
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| 作者单位： | 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054 |
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| 摘 要： | 采用脉冲激光沉积法(pulsed laser deposition,PLD),通过改变气氛氧压、衬底温度等工艺参数,在商业化的Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了Bi4Ti3O12(BIT)系列薄膜.利用X射线衍射(XRD)表征了薄膜的结构特征;并采用RT2000进行铁电性能参数的测量,以此研究了工艺参数对薄膜结构和铁电性能的影响规律.分析结果表明,调整工艺参数能有效改善BIT薄膜的a轴取向度:气氛氧压越大、衬底温度越高,则薄膜的a轴取向度越高,剩余极化值也就越大.通过上述试验结果得到,在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备BIT薄膜的优化条件为氧分压35Pa、衬底温度700℃.在此优化条件下制备的BIT薄膜为a轴择优取向,剩余极化值达到7μC/cm2.
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| 关 键 词： | BIT 剩余极化 a轴择优 |
| 文章编号： | 1001-9731(2007)05-0753-03 |
| 修稿时间： | 2006-11-08 |
Study on structural and ferroelectric properties of Bi4Ti3O12layered ferroelectric thin films |
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| WANG Xiao-ping,ZHU Jun,LUO Wen-bo,ZHANG Ying,LI Yan-rong.Study on structural and ferroelectric properties of Bi4Ti3O12layered ferroelectric thin films[J].Journal of Functional Materials,2007,38(5):753-755. |
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| Authors: | WANG Xiao-ping ZHU Jun LUO Wen-bo ZHANG Ying LI Yan-rong |
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| Affiliation: | School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronics Science and Technology of China,Chengdu 610054,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | BIT remanent polarization a-axis orientation |
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