| MIS／IL p—Si太阳电池的几种低温表面钝化 |
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| 引用本文： | 孙铁囤,曾为民,崔容强.MIS／IL p—Si太阳电池的几种低温表面钝化[J].太阳能学报,2001,22(1):21-24. |
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| 作者姓名： | 孙铁囤 曾为民 崔容强 |
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| 作者单位： | 上海交通大学应用物理系太阳能研究所, |
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| 摘 要： | 对P－硅基体的MOS，MNS，MNOS3种钝化系统通过C－V特性测试和电性能分析，系统比较了不同结构及在不同的工艺条件下的介面态，介面固定正电荷和漏电流等参数。结果表明对于MIS／IL p－Si太阳电池，通过工艺优化，MNOS可以发挥良好的表面钝化和存储固定正电荷的功能。
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| 关 键 词： | 太阳电池 MIS／IL 硅 低温表面钝化 |
| 文章编号： | 0254-0096(2001)01-0021-04 |
| 修稿时间： | 1999年10月8日 |
STUDY ON SURFACE PASSIVATION OF MIS/IL p-Si SOLAR CELLS |
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| Sun Tietun,Zeng Weimin,Cui Rongqiang.STUDY ON SURFACE PASSIVATION OF MIS/IL p-Si SOLAR CELLS[J].Acta Energiae Solaris Sinica,2001,22(1):21-24. |
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| Authors: | Sun Tietun Zeng Weimin Cui Rongqiang |
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| Abstract: | In this paper,based on the solar grade silicon MOS,MNS and MNOS systems have been analysed and the interface states,fixed positive charges and leak current have been compared by C-V measurement.Results showed that the structure of MNOS is advanced in surface passivation and storage of the fixed charges for MIS/IL p-Si solar cells. |
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| Keywords: | solar cells passivation interface states fixed positive charges C-V measurement |
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