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硅粉氮化反应合成氮化硅
作者姓名:李亚伟 张忻 田海兵 刘俊虎 李楠
作者单位:武汉科技大学,湖北武汉430081
摘    要:研究了硅粉直接氮化反应合成氮化硅粉末的工艺因素(包括硅粉粒度、氮化温度、成型压力、稀释剂含量等),借助XRD、SEM等测试手段测定和观察了氮化产物的物相组成和断口形貌。研究结果表明:硅粉在流动氮气氛下,高于1200℃氮化产物中氮含量明显增加;在氮化反应同时还伴随着硅粉的熔结过程,它阻碍硅粉的进一步氮化,其影响程度与氮化温度、氮化速度,素坯成型压力及硅粉粒度等工艺因素有关。在硅粉素坯中引入氮化,其影响程度与氮化温度、氮化速度,素坯成型压力及硅粉粒度等工艺因素有关。在硅粉素坯中引入氮化硅作为稀释剂,提高了硅粉的氮化率,使产物中残留硅量降低;同样在实际生产中可以通过控制适当热处理制度(如分段保温、慢速升温),达到硅粉的完全氮化。在生产中批量合成了含氮量为32.5%,残留硅量为0.05%,主要为α相,含少量β相的针状、柱状的氮化硅。

关 键 词:氮化硅 硅粉氮化反应 合成工艺 硅粉粒度 氮化温度 成型压力 稀释剂含量
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