|
|||||
|
|
| SiC掺杂对MgB2/Fe超导线材临界电流密度和显微结构的影响 | |
| 引用本文： | 许红亮,冯勇,徐政,曹烈兆,李晓光,刘竞艳. SiC掺杂对MgB2/Fe超导线材临界电流密度和显微结构的影响[J]. 功能材料, 2005, 36(7): 1021-1023 |
| 作者姓名： | 许红亮 冯勇 徐政 曹烈兆 李晓光 刘竞艳 |
| 作者单位： | 1. 同济大学,材料科学与工程学院,上海,200092;西北有色金属研究院,陕西,西安,710016;郑州大学,材料科学与工程学院,河南,郑州,450002 2. 西北有色金属研究院,陕西,西安,710016 3. 同济大学,材料科学与工程学院,上海,200092 4. 中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026 5. 中国科学技术大学,材料科学与工程系,安徽,合肥,230026 |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划"863计划"资助项目(2002AA306251);国家自然科学基金资助项目(50172040,50377040) |
| 摘 要： | 利用原位粉末套管法制备出SiC微粉掺杂的MgB2-x(SiC)x2／Fe(z=0．00、0．05、0．10、0．20)超导线材。在750℃,流通高纯氩气的条件下热处理1h后,大部分SiC没有参与取代B位的反应。随着x的增大,线材中非超导相SiC和Mg的含量增加,MgB2的平均晶粒尺寸变小,从而使可作为磁通钉扎中心的晶界的面积相应增加。在外加磁场中,MgB2超导线材的临界电流密度(Jc)随x增大逐步升高,至x=0．10时Jc性能最好,其在6K,5T时的Jc达到了8480A／cm^2,比未掺杂线材的Jc高出约70％。但是,当x=0．20时,Jc却有所下降。Jc的这种变化规律与SiC掺杂引起的MgB2晶粒变小,以及非超导相物质含量之间的相互平衡有关,其中MgB2晶粒变小是Jc提高的主要原因。 |
| 关 键 词： | MgB2超导线材 SiC掺杂 临界电流密度 显微结构 |
| 文章编号： | 1001-9731(2005)07-1021-03 |
| 修稿时间： | 2004-11-22 |
Effect of SiC doping on the critical current density and microstructure of MgB2/Fe wires |
|
| Xu hong-liang,FENG Yong,XU Zheng,CAO Lie-Zhao,LI Xiao-Guang,LIU Jing-yan. Effect of SiC doping on the critical current density and microstructure of MgB2/Fe wires[J]. Journal of Functional Materials, 2005, 36(7): 1021-1023 | |
| Authors: | Xu hong-liang FENG Yong XU Zheng CAO Lie-Zhao LI Xiao-Guang LIU Jing-yan |
| Affiliation: | XU Hong-Liang~ |
| Abstract: | |
| Keywords: | MgB_2 wire SiC doping critical current density microstructure |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |