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| 三菱电机公司将新的成膜技术“高压氧化法”应用于MOSLSI中 | |
| 作者姓名： | 王秀春 |
| 摘 要： | 三菱电机公司研制出了新的硅成膜技术——高压氧化法。有关这种新技术在MOSLSI中的应用结果,在八月份举行的电子通信学会电子元件与材料研究会上发表了。 这种新的高压氧化法与以往的常规氧化法相比,氧化时间缩短了。由于热处理温度变低,从而使器件特性得以提高。由于有这些优点,使高压氧化法正成为半导体工业中有力的工艺方法。 在用于MOS LSI以前。首先把普通硅膜与由高压氧化法形成的膜进行了比较,非 |
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