IC高密度陶瓷外壳串扰对信号完整性的影响 |
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引用本文: | 蒋纬,郑宏宇,赵祖军.IC高密度陶瓷外壳串扰对信号完整性的影响[J].半导体技术,2014(3):220-225,232. |
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作者姓名: | 蒋纬 郑宏宇 赵祖军 |
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作者单位: | 中国电子科技集团公司第十三研究所; |
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摘 要: | 在高密度陶瓷封装外壳设计中,遇到的包括单信号线的延迟、反射和多信号线间的串扰等噪声问题,以及电源完整性问题,这些问题都严重影响整个电子系统性能的信号完整性。基于高速电路传输线的信号完整性相关基本理论,通过测试和仿真的方法来研究传输线间近端串扰和远端串扰问题。对大规模集成电路外壳CQFP240M进行串扰测试分析,利用仿真软件CST建立微带线和带状线模型,仿真、测试分析相邻传输线间串扰大小的影响因素。根据仿真结果,提出降低串扰的方法,优化设计,提高传输结构性能。
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关 键 词: | 信号完整性 串扰 集成电路 陶瓷封装 仿真 |
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