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| 微波等离子体化学气相沉积法生长取向性纳米氮化铝薄膜 | |
| 引用本文： | 孟广耀,谢松,彭定坤. 微波等离子体化学气相沉积法生长取向性纳米氮化铝薄膜[J]. 材料研究学报, 1998, 12(4): 369-374 |
| 作者姓名： | 孟广耀 谢松 彭定坤 |
| 作者单位： | 中国科学技术大学材料科学工程系,合肥市,230026;中国科学技术大学;中国科学技术大学 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金!29271031 |
| 摘 要： | 采用微波等离子增强的化学气相沉积法，在Ｓｉ（１１１）衬底上生长了（００２）选优取向良好的Ａ１Ｎ纳米薄膜。研究沉积参数对膜的形貌、物相结构和生长速率的影响，发现在一定条件下，该沉积过程属于典型的输运控制过程，采用表面吸附生长模型讨论了膜的生长机制。 |
| 关 键 词： | 微波等离子体 化学气相沉积 氮化铝膜 生长机制 |
| 收稿时间： | 1998-08-25 |
| 修稿时间： | 1998-08-25 |
THE PREMRAfION OF ORIENTED AlN NANOMETER THIN FILMS BY MICROWAVE PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION |
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| XIE Song,MENG Guangyao,PENG Dingkun University of Science and Technology of China,Hefei ). THE PREMRAfION OF ORIENTED AlN NANOMETER THIN FILMS BY MICROWAVE PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION[J]. Chinese Journal of Materials Research, 1998, 12(4): 369-374 | |
| Authors: | XIE Song MENG Guangyao PENG Dingkun University of Science Technology of China Hefei ) |
| Affiliation: | XIE Song,MENG Guangyao,PENG Dingkun (Department of Materials Science and Engineering)University of Science and Technology of China,Hefei ) |
| Abstract: | By microwave plasma enhanced chemical vapor deposition we prepared highly (002) oriented AIN nanometer thin film on Si(111) substrate. The effect on sudece morphology. film structure and deposition rate at various deposition conditions had been researched |
| Keywords: | microwave plasma chemical vapor deposition AIN film growth mechanism |
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