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(Ba0.6Sr0.4)Ti1-xZnxO3薄膜的介电调谐性能
引用本文:孙小华,邹隽,胡宗智,吴敏,赵兴中.(Ba0.6Sr0.4)Ti1-xZnxO3薄膜的介电调谐性能[J].纳米科技,2009,6(4):46-50.
作者姓名:孙小华  邹隽  胡宗智  吴敏  赵兴中
作者单位:[1]三峡大学机械与材料工程学院,湖北宜昌443002 [2]武汉大学物理科学与技术学院,湖北武汉430072
摘    要:利用溶胶-凝胶法在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了(Ba0.6Sr0.4)Ti1-xZnxO3(BSTZ)薄膜,用X射线衍射和扫描电镜分析测定了BSTZ的微结构和薄膜的表面形貌,研究Zn掺杂量对其介电调谐性能的影响,结果表明,随Zn含量的增加BSTZ物相无明显变化,其介电常数、调谐量先增加后降低,但介电损耗却先降低后增加。在室温1MHz下,1.5m01%Zn掺杂BSTZ薄膜有最大的调谐量54.26%;2.5mol%Zn掺杂BSTZ薄膜有最低的介电损耗0.0148和最大的优值因子30.3。

关 键 词:BST薄膜  掺杂  溶胶-凝胶  介电调谐性能
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