| CeO_2/SiO_2复合磨粒抛光性能及机制研究 |
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| 作者姓名： | 张强 黄国栋 赵永武 赵元元 王永光 |
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| 作者单位： | 江南大学机械工程学院; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(51005102);中央高校基本科研业务费专项基金项目(JUSRP10909;JUDCF13028);清华大学摩擦学国家重点实验室开放基金项目(SKLTKE10B04);教育部留学回国人员科研启动基金项目(20111139);江苏省普通高校研究生科研创新计划项目(CXZZ13_0738) |
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| 摘 要： | 为提高硅片抛光质量与效率,利用均相沉淀法制备CeO2/SiO2复合磨粒,配制绿色环保水基型抛光液对硅片进行化学机械抛光,研究pH值、抛光时间、抛光速度、抛光压力等抛光工艺参数对硅片抛光性能的影响。结果表明:随抛光液pH值增加,材料去除率相应增大;材料去除率在一定时间范围内随抛光时间增加而下降;材料去除量随抛光速度、抛光压力的增加均先增大后减小。推测CeO2/SiO2复合磨粒抛光机制为由于水合作用,在硅片表面形成一层易于磨削的软质层。
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| 关 键 词： | 化学机械抛光 复合磨粒 抛光工艺参数 硅片 抛光机制 |
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