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| Cd0.9Mn0.1Te晶体生长及其缺陷分析 | |
| 引用本文： | 常永勤,谷智,等.Cd0.9Mn0.1Te晶体生长及其缺陷分析[J].材料科学与工程,2001,19(4):14-19. |
| 作者姓名： | 常永勤 谷智 |
| 摘 要： | 采用Bridgman法和ACRT－B法生长了两根Cd0.9Mn0.1Te晶锭（简称CMT－B和CMT－A）。采用光学金相显微镜和扫描电镜研究了这两种方法生长的晶体中出现的各种缺陷，并分析了其形成机理。采用JEOL－733电子探针测定了两根晶锭中Mn的分布。对比CMT－B和CMT－A两根晶锭，发现ACRT所产生的对流可提高Cd0.9Mn0.1Te晶体的结晶质量。 |
| 关 键 词： | Cd1－xMnxTe Bridgman法 ACRT－B法 微裂纹 位错 晶体生长 单晶 镉锰碲化合物 半导体材料 缺陷 |
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