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特种快速大功率半导体切断开关的研制
引用本文:杨勇,刘英坤,崔占东,刘忠山,马红梅,陈洪斌.特种快速大功率半导体切断开关的研制[J].半导体技术,2009,34(3).
作者姓名:杨勇  刘英坤  崔占东  刘忠山  马红梅  陈洪斌
作者单位:中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川绵阳,621900
摘    要:介绍了大功率半导体切断开关(SOS)的工作原理和研制结果.面积为0.28 cm2的开关(59只串联)在300 Hz连续工作模式中,切断电流为1.9 kA,电流切断时间为9.56 ns;在1 000 Hz猝发工作模式中,切断电流为1.73 kA,电流切断时间为10.86 ns;在负载为470 Ω的耐压试验中,开关输出的高压窄脉冲的幅值为270 kV,宽度约为10 ns.

关 键 词:半导体切断开关  连续工作模式  猝发工作模式  高压窄脉冲

Study of Special Type Fast High Power Semiconductor Opening Switches
Yang Yong,Liu Yingkun,Cui Zhandong,Liu Zhongshan,Ma Hongmei,Chen Hongbin.Study of Special Type Fast High Power Semiconductor Opening Switches[J].Semiconductor Technology,2009,34(3).
Authors:Yang Yong  Liu Yingkun  Cui Zhandong  Liu Zhongshan  Ma Hongmei  Chen Hongbin
Affiliation:1.The 13th Research Institute;CETC;Shijiazhuang 050051;China;2.Institute of Applied Electronics;CAEP;Mianyang 621900;China
Abstract:
Keywords:SOS  continuous mode  burst mode  narrow high voltage pulse  
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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